利用测试夹具对功率半导体器件的测试解决方案

最新更新时间:2023-06-05来源: elecfans关键字:测试夹具  功率半导体器件  数字源表 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

利用测试夹具对封装器件进行测试

吉时利8010型大功率器件测试夹具与2651A以及2657A型大功率系统数字源表一起完善了功率半导体器件测试解决方案。图1给出源测量单元(SMU)仪器与8010型夹具的连接图。在8010型互连参考指南(IRG)中给出详细的器件测试配置实例。

利用测试夹具对功率半导体器件的测试解决方案

图1

源测量单元(SMU)仪器与8010型大功率器件测试夹具的连接

定制测试夹具可以包括任意数量的测试用源测量单元(SMU)。对于大电流测试,利用2651A型产品提供的Phoenix螺丝压线端子连接器,可以轻易实现连接。对于使用2657A型产品的最高完整度高压测量,吉时利公司提供定制墙壁型HV三轴连接器,其一端已经与三轴电缆组件连接在一起。这样设计的目的是可以安装在安全机箱内。这些连接很容易与设备焊接,或者适合另外的连接器。详细说明参见图2。

图2

用于高压测试的定制夹具连接实例

在探测台上对晶片级器件进行测试

少数探测器供应商为大功率半导体器件测试提供商用解决方案,其他供应商则提供定制解决方案。至于哪种类型的探测解决方案适合具体测试应用所需的电流、电压或功率,可以向探测台供应商进行咨询。关于如何使用定制高压三轴电缆和连接器的信息,探测器制造商可以与吉时利仪器公司联系。

最近我们检查了探测台解决方案,发现banana插头和插座普遍用于大电流测试,还发现SHV已成为大电流连接的工业标准。Phoenix大电流螺丝压线端子连接器很容易适应banana连接器。为了适应SHV解决方案,吉时利公司推出SHV-CA-553型产品,这个电缆组件的一端是线缆高压三轴线连接器,另一端是SHV(同轴)连接器。后面的几个图说明利用banana和SHV连接方式对晶片级器件进行测试的3个实例配置连接。

图3

晶片级器件连接实例图图标

图4 TSP Express软件允许对通过TSP-Link网络连接的所有仪器的源和测量参数进行快速设置

图5 TSP Express软件允许用户迅速和容易地绘制测量图,如这里给出的IGBT(BVces额定值为2500V)的Vces-Ic曲线。

图6 采用SHV连接方式,只对晶片级器件进行高压测试的连接

图7 采用banana连接方式,只对晶片级器件进行大电流测试的连接

图8 用于高压和大电流测试的晶片级器件连接


关键字:测试夹具  功率半导体器件  数字源表 编辑:什么鱼 引用地址:利用测试夹具对功率半导体器件的测试解决方案

上一篇:功率放大器和测量仪器在通信系统中的测试解决方案
下一篇:常用光纤测试仪器有哪些,如何进行操作应用

推荐阅读最新更新时间:2023-09-21 21:56

丁荣军:汽车功率半导体器件的发展趋势
【中国工程院院士 丁荣军】   我的汇报分三个部分。   首先简单介绍汽车 功率 半导体器件的发展趋势。    功率 半导体器件最早都是由晶闸管后来变成GTO到MOSFET,到现在用得比较多的IGBT器件。IGBT器件跟传统的器件相比,主要是驱动比较简单,同时损耗比较小,比较适合用于牵引传动包括电机控制器等。IGBT器件包括原来讲的 功率 半导体器件,都被誉为传统系统,在高铁里一样,把它称之为“心脏”。它主要起到能量传输和能量的点的转换,是电机控制系统的CPU。   目前电动汽车器件大概占到控制器总成本的30%左右,目前在国内市场上用的电机控制器芯片基本由外国公司提供。   就控制器技术发展来说,第一阶段是单个模
[汽车电子]
丁荣军:汽车<font color='red'>功率</font><font color='red'>半导体器件</font>的发展趋势
《碳化硅功率半导体器件:特性、测试和应用技术》新书
《碳化硅功率半导体器件:特性、测试和应用技术》新书发布 传递开启绿色智能世界之门的钥匙 中国北京2021年6月17日 –在第三代半导体材料火热研究的今天,基于科研工作者和工程师对碳化硅器件知识技术的迫切需求,高远倾心编著的新书 《碳化硅功率半导体器件:特性、测试和应用技术》 于2021年6月由机械工业出版社出版发行,6月底上市。 高远现任泰科天润半导体科技(北京)有限公司应用测试中心主任,曾在知名电源企业和功率半导体企业从事研发和技术工作。高远致力于功率半导体器件测试、评估与应用技术的研究和推广工作,特别对SiC功率器件有深入研究和深刻认知,精通器件测试设备和测量方法,致力于碳化硅功率器件市场应用推广,被国际领先的测
[测试测量]
《碳化硅<font color='red'>功率</font><font color='red'>半导体器件</font>:特性、<font color='red'>测试</font>和应用技术》新书
使用简易夹具静态测试可编程增益放大器
  具有数字增益开关的仪表放大器具有显著优势,例如节约电路板空间、由于减少焊点而提高可靠性以及降低总成本等。这些重要特性的根源在于增益调整网络是单片IC的必要组成部分。该特点使得这些 IC放大器 对杂散电磁场的敏感性要低得多,这是因为内部电阻器区域在先前使用的离散式增益调整电阻器中可忽略不计。此外,塑料封装和芯片的相对电容率值应该高于空气的相对电容率值。因此,进入芯片的任何杂散场中的电子元件磁场强度都应比周围的磁场强度低。   由于无法直接触及增益调整电路,所以需要在黑盒子里安置一个数字可编程增益放大器。但是,图1中的简易夹具有助于评估这些IC的一些静态特性。这个夹具是由AnalogDevices公司的10VREF
[测试测量]
使用简易<font color='red'>夹具</font>静态<font color='red'>测试</font>可编程增益放大器
SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电动汽车的设计格局
Yole Development 的市场调查报告表明,自硅功率半导体器件诞生以来,应用的需求一直推动着结温升高,目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件(如SiC)出现以及日趋成熟和全面商业化普及,其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。这些典型的、面向未来的高温、高功率密度应用,包括深度整合的电动汽车动力总成、多电和全电飞机乃至电动飞机、移动储能充电站和充电宝,以及各种液体冷却受到严重限制的电力应用。 图1:功率器件的应用结温在不断升高(来源于Yole Development 的市
[汽车电子]
SiC助力<font color='red'>功率</font><font color='red'>半导体器件</font>的应用结温升高,将大大改变电动汽车的设计格局
小广播
最新测试测量文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2023 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved