Vishay

2012-05-18来源: 互联网关键字:Vishay
                                                                                           
Vishay
 
公司中文名 威世
网站 http://www.vishay.com
总部地址 Vishay Intertechnology, Inc. 63 Lancaster Avenue Malvern, PA 19355-2143
中国地址 ZhongGuanCun, South Avenue Room 1503, Building A, Cyber Tower, No.2 Beijing, China
电话 86-10-8251
传真 86-10-8251-1739
E-Mail
        
官方介绍

Vishay的收购包括一些顶级厂商, 如 Dale, Sfernice, Draloric, Sprague, Vitramon, Siliconix, General Semiconductor, BCcomponents, 和Beyschlag. Vishay的品牌组合代表了无与伦比的分立半导体和无缘电子元件的集合. 所有的这些品牌和产品已整合成一个全球化的公司: Vishay.

   
       
产品范围

半导体、无源原件

   
       
EEWORLD评点
     

 

   
关键字:Vishay 编辑:马悦 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/company/2012/0518/article_89.html

上一篇:Vicor
下一篇:欧胜微电子

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

纽约客推出Vishay四象限硅PIN光电二极管 可用于汽车领域
据外媒报道,纽约客电子公司推出Vishay公司的业界首款表面贴装四象限硅针光电二极管(4-Quadrant Silicon PIN Photodiode),可用于汽车领域。Vishay Semiconductors K857PE感光度高,串扰仅为0.1%,几乎无段间公差,适用于汽车、消费电子和工业市场各种传感控制应用。该新器件将四个单片二极管集成在一个4.72mm x 4.72mm x 0.8mm顶视表面贴装封装中, 而K857PE的四个辐射敏感区域间的设定间隙使得在激光定位期间进行准确测量成为可能。K857PE封装侧面不透明,消除杂散光对光电二极管的辐照影响,具有优异的信噪比,其线性光响应还可适用于小信号探测,如汽车雨水
发表于 2021-01-07
Vishay推出600 V EF快速体二极管MOSFET,具备更低的FOM
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n沟道SiHH070N60EF导通电阻比其前代器件低29 %,为通信、工业、计算和企业级电源应用提供高效解决方案,同时栅极电荷下降60 %,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。随着SiHH070N60EF的推出,以及即将发布的第四代
发表于 2020-12-23
<font color='red'>Vishay</font>推出600 V EF快速体二极管MOSFET,具备更低的FOM
Vishay推出业界首款表面贴装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其光电子产品部推出业界首款标准表面贴封装,经过汽车应用认证的四象限硅 PIN 光电二极管 ---K857PE。Vishay Semiconductors K857PE 感光度高,串扰仅为 0.1 %,几乎无段间公差,适用于汽车、消费电子和工业市场各种传感控制应用。 日前发布的器件经过 AEC-Q101 认证,采用四支单片 PIN 二极管—每支感光区面积为 1.6 mm2—集成在 4.72 mm x 4.72 mm x 0.8 mm 单体封装中(正贴)。K857PE 封装侧面
发表于 2020-12-18
<font color='red'>Vishay</font>推出业界首款表面贴装,经过汽车应用认证的四象限硅PIN光电二极管
Vishay推出符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出了一款符合 AEC-Q101 要求的 N 通道 60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用 PowerPAK® SO-8L 非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的 Vishay Siliconix SQJ264EP 旨在满足汽车行业节省空间以及提高 DC/DC 开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个 5mm x 6mm 的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边 MOSFET,低边 MOSFET 的最大导通电阻低至 8.6 m。 与单个 MOSFET 解决方案相比
发表于 2020-12-15
<font color='red'>Vishay</font>推出符合AEC-Q101要求的PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET
Vishay推出N通道60 V MOSFET,提高开关模式电源效率
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET,低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 mW。 与单个MOSFET解决方案相比,通过将两个TrenchFET® MOSFET封装在一个
发表于 2020-12-15
<font color='red'>Vishay</font>推出N通道60 V MOSFET,提高开关模式电源效率
Vishay推出在高温应用下提高设计灵活性、节省电路板空间的铝电容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出新系列低阻抗、汽车级小型铝电解电容器——190 RTL系列电容器。其纹波电流高达3.36 A,可在+125 高温下工作,125 °C条件下使用寿命长达6,000小时。Vishay BCcomponents 190 RTL系列电容器阻抗低于上一代解决方案,纹波电流提高10 %至15 %,设计人员可使用更少的元器件,从而提高设计灵活性并节省电路板空间。此外,器件符合AEC-Q200标准,从10 mm x 12 mm到18 mm x 35 mm,提供各种小型外形尺寸封装。190 RTL系列电容器采用径向引线,圆柱形铝外壳与减压装置之间用蓝色套筒绝缘,额定电压高达50 V
发表于 2020-12-01
<font color='red'>Vishay</font>推出在高温应用下提高设计灵活性、节省电路板空间的铝电容器
小广播
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved