比硅电源芯片块100倍,GaNFast充电技术是什么鬼

2020-02-17来源: EEWORLD关键字:GaNFast  小米  纳微半导体

小米集团和纳微(Navitas)宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓(GaN),这是一种新的半导体材料,其运行速度比以前的硅(Si)电源芯片快100倍,因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100%的充电。

 

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雷军在直播发布会上表示:“GaN(氮化镓)作为一种新半导体材料,给充电器,带来了无法想象的效果。它特别小,充电效率特别高,比小米10 Pro标配的65W充电器再小了一半。” 雷军为推广氮化镓技术,鼓励消费者和米粉们关注新时代充电技术变化。

 

据悉,小米早前就已投资纳微(Navitas)半导体,为这次合作埋下伏笔。小米的投资策略是通过资金注入,确立产业链上下游合作,同时兼顾投资和业务的双重收益。通过此次合作,纳微(Navitas)半导体也得以拓宽销售渠道。这正是小米扶持合作企业、推动制造业升级、带动行业活力的证明,并最终发布了带有GaNFast充电技术的小米Mi 10 PRO。

 

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纳微(Navitas)半导体首席执行官Gene SHERIDAN在会后表示:“非常高兴看到小米对新材料,新技术所持的开放态度。纳微半导体自成立以来就专注于GaN材料的技术运用和创新,所开发的GaNFast功率IC是FET,驱动器和逻辑的单片集成,可实现极小的应用尺寸和高效率。对于希望走在前端、引领技术潮流的厂商,GaNFast技术会为他们的产品注入高性能和差异化!”

 

纳微(Navitas)半导体中国区总经理查莹杰则表示:“目前智能手机,平板电脑和笔记本电脑的电池容量不断增加,另一方面,消费者却需要更快的充电体验,而GaNFast技术具有小尺寸、轻量和高效的优势,因而极具吸引力。GaNFast技术为业界带来小巧、高效的充电器,可以为手机和笔记本电脑等电子产品快速充电。”

 

小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它们针对高频、软开关拓扑进行了优化,通过FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入,电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术,小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是标准适配器尺寸的一半。


据了解,小米GaN充电器型号为AD65G,输出接口为单个USB-C接口,支持USB PD3.0快速充电协议。支持5V3A / 9V3A / 10V5A / 12V3A / 15V3A / 20V3.25A,最大输出功率65W,支持100-240V ~ 50/60Hz全球电压。



小米10Pro手机支持10V5A大功率疾速闪充,小米GaN充电器拥有的10V5A特殊电压档就是专们小米10Pro而设的,可以在45分钟为小米10 Pro充电100%。



尺寸方面,采用氮化镓功率器件设计方案,体积得到大幅度缩减,小米GaN充电器体积约为苹果61W充电器的三分之一,长宽高为30.8mm x 30.8mm x 56.3mm(不含插脚),为了体积做到极致插脚为不可折叠设计。



除此之外产品内标配了长度为1米的USB-C to USB-C数据线,能承受最大5A电流传输,兼容大多数USB-C型手机、笔记本、平板电脑。


关键字:GaNFast  小米  纳微半导体 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/dygl/ic488491.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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