预计第三代功率半导体2021年市场将突破10亿美元

2020-07-03来源: EEWORLD关键字:SiC  GaN  功率半导体

Omdia称,受电动汽车、电源和光伏逆变器的需求驱动,SiC和GaN功率半导体市场预计在2021年将突破10亿美元。


Omdia表示,预计到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入将从2018年的5.71亿美元增至8.54亿美元。


预计未来十年将以两位数的年增长率增长,到2029年将超过50亿美元。


SiC肖特基二极管已经上市十多年了,近年来出现了SiC的MOSFET和JFET。


SiC功率模块越来越方便,包括混合SiC模块,包含带Si-igbt的SiC二极管,以及包含sicmosfet的完整SiC模块(带或不带SiC二极管)。


SiC MOSFET目前已有几家公司开始提供。


包括650V、700V和900V SiC MOSFET的引入,与硅MOSFET开始竞争,同时供应商之间的竞争加剧,导致2019年的平均价格下降,这也促进了市场普及度的提高。


Omdia电力半导体的高级首席分析师Richard Eeden说:“价格下降最终将刺激SiC MOSFET技术的更快采用。”相比之下,GaN功率晶体管和GaN系统集成电路才刚刚在市场上出现。GaN是一种宽禁带材料,具有与SiC相似的性能优势,但具有更高的成本降低潜力。这些价格和性能上的优势是可能的,因为GaN功率器件可以在硅或蓝宝石衬底上生长,而硅衬底和蓝宝石衬底比SiC要便宜。GaN晶体管现已上市,包括来自Power Integrations、Texas Instruments和Navitas Semiconductor等公司的GaN系统集成电路的销售额预计将以更快的速度增长。”


Omdia说,到2020年底,SiC MOSFET预计将产生约3.2亿美元的收入,与SiC的肖特基二极管市场一致。


从2021年起,SiC MOSFET将以略快的速度增长,成为最畅销的分立SiC功率器件。同时,尽管SiC-JFET的可靠性、价格和性能都很好,但据预测,SiC-JFET的收入要比SiC-MOSFET少得多。


Eeden说:“终端用户强烈喜欢非SiC MOSFET,因此SiC JFET似乎仍将是专业的利基产品。然而,SiC JFET的销售额预计将以惊人的速度增长,尽管活跃的供应商非常少。”


混合SiC功率模块,结合Si-IGBT和SiC二极管,2019年的销售额约为7200万美元,而全SiC功率模块在2019年产生约5000万美元。


预计到2029年,全集成电路功率模块将实现超过8.5亿美元的收入,因为它们将是混合动力和电动汽车动力传动系统逆变器的首选。相比之下,混合碳化硅功率模块将用于光伏逆变器、不间断电源系统和其他工业应用。


Omdia称,SiC和GaN功率器件目前已有数万亿小时的设备现场经验。无论是传统供应商还是新入者都正在通过JEDEC和AEC-Q101认证,SiC和GaN器件似乎没有任何意外的可靠性问题;事实上,它们通常比硅好。


SIC MOSFET和SIC JFET的工作电压较低,如650V、800V和900V,使SiC在性能和价格上可以与传统硅MOSFET竞争。


带有GaN晶体管和GaN系统集成电路的产品也正在批量生产,特别是用于移动电话和笔记本电脑快速充电的USB C型电源适配器和充电器。此外,许多GaN设备由代工厂制造,在标准硅片上提供GaN外延晶体生长,随着产量的增加,潜在的产能还可继续扩张。

关键字:SiC  GaN  功率半导体 编辑:冀凯 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/dygl/ic502020.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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