三菱将推出第二代工业用全碳化硅功率模块

2020-09-16来源: EEWORLD关键字:三菱  SiC

总部位于东京的三菱电机将推出第二代全SiC(碳化硅)功率模块,该模块采用一种全新开发的工业用SiC芯片。


组件中的SiC MOSFET和SiC SBD芯片的低功耗特性和高载操作有望促进在各种工业领域开发更高效、更小、重量更轻的功率设备。预计2021年1月开始销售。


具体而言,与三菱第一代SiC产品相比,JFET掺杂技术的导通电阻降低了约15%。


减小镜像电容(mirror capacitance 即MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容)可以实现快速开关并降低开关损耗。


与三菱电机传统的硅绝缘栅双极晶体管(Si-IGBT)模块相比,内置的SiC MOSFET和SiC SBD有助于降低约70%的功率损耗。


三菱电机认为,降低功率损耗和高载频运行将有助于开发更小、更轻的外部部件,如反应堆和冷却器。


关键字:三菱  SiC 编辑:冀凯 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/dygl/ic510449.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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