东芝新款1200V碳化硅MOSFET,可降低功耗,精简系统

2020-10-19来源: EEWORLD关键字:东芝  MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用(包括大容量电源),并于今日开始出货。

 

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该功率MOSFET采用碳化硅(SiC)这种新材料,与常规的硅(Si)MOSFET、IGBT产品相比,具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性,有利于降低功耗,精简系统。

 

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产[1],实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)“GT40QR21”相比,“TW070J120B”关断开关损耗降低80%左右,开关时间(下降时间)缩短大约70%,并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。

 

它的栅阈值电压被设置在4.2V至5.8V的较高电压范围内,有助于减少故障风险(意外开启或关闭)。此外,内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)也有助于降低功率损耗。

 

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中,这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的,而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。

 

应用:


・大容量AC-DC转换器

・光伏逆变器

・大容量双向DC-DC转换器

 

特性:


・第2代芯片设计(内置碳化硅SBD)

・高电压、低输入电容、低总栅电荷、低导通电阻、低二极管正向电压、高栅阈值电压:

VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),

RDS(ON)=70mΩ(典型值),VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2~5.8V

・增强类型易于操作


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关键字:东芝  MOSFET 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/dygl/ic513599.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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