GaN Systems推出两款具650V GaN半桥评估板

2021-01-13来源: EEWORLD关键字:GaN  氮化镓  转换器  驱动器

GaN Systems开发了两款650V半桥评估板(30 A和60 A),用于评估氮化镓(GaN)驱动器和GaN晶体管在各种应用中的性能。该公司声称,这些子板是业界首款可提供具有可调阈值和可编程源电流,带有过流保护功能,以实现可调节的导通压摆率。


子板具有两种功率级别:最高3 kW(GS-EVB-HB-66508B-RN)和最高6 kW(GS-EVB-HB-66516T-RN),并包含瑞萨电子RAA226110低侧GaN FET驱动器具有可编程的源电流和可调的过流保护。


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RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET,提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相(INB)和同相(IN)输入,可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。


GaN Systems 650V GaN半桥评估板可与GaN Systems主板一起使用,以简化设置和即插即用操作。功能包括在2 MHz fSW时的集成VGS调节和具有40 mV / 80 mV / 120 mV可调阈值的可编程过流保护以及差分电流检测以及可编程的源电流,用于可调的开启压摆率(0.3A,0.75A,或2A)。


GS-EVB-HB-66508B-RN 650-V 30-A GaN半桥和GS-EVB-HB-66516T-RN 650-V 60-A GaN半桥演示板均带有RAA226110栅极驱动器。评估套件包括两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管(用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T)以及所有必要的电路,包括半桥栅极驱动器,隔离式电源和可选的散热器。借助该演示板,设计人员可以使用通用母板(P / N:GS665MB-EVB)或他们自己的系统设计,评估任何基于半桥拓扑的GaN E模式性能。


GaN Systems表示,这些功率级设计可用于各种应用,包括企业级1U电源(最高5 kW),高功率密度无桥图腾柱PFC,光伏逆变器,能量存储系统,电机驱动器和汽车DC / DC转换器和车载充电器。


该公司最近还推出了四个集成的GaN功率模块评估套件,这些套件使评估高功率应用的GaN功率器件变得容易。这些产品包括牵引逆变器,工业电动机,储能系统,光伏逆变器以及各种下部电源板和砖式电源。四个评估套件包括:100V驱动器GaN DC / DC功率级模块;以及650 V,150 A半桥智能电源模块(IPM); 650 V,150 A全桥模块和驱动器以及650 V,300 A三相模块和驱动器。


关键字:GaN  氮化镓  转换器  驱动器 编辑:冀凯 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/dygl/ic522823.html

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