UnitedSiC推出第四代1200V碳化硅FET，实现全方位FoM领先

2021年底，Qorvo收购了碳化硅(SiC)供应商UnitedSiC，并进入包括电动汽车 (EV)、工业电源控制、可再生能源和数据中心电源系统市场。

彼时，UnitedSiC刚刚推出第四代750V SiC FET，拥有业界最低RDS(on)以及超强的短路耐受能力。日前，UnitedSiC扩充了其第四代SiC产品线，推出1200V系列产品，从而应对用户的新需求。

UnitedSiC FAE经理Richard Chen表示，随着功率不断提高，并且还要保持较低损耗，汽车电子和工业应用的母线电压正越来越多的从400V向800V迁移，这给了SiC更好的发展空间。

根据咨询机构Yole Developpement给出的数据显示，受益于各行业的进步需求，SiC市场将从2021年的10亿美元增长到2027年的63亿美元，年平均增长率超过34%。其中汽车市场将是最大的需求端。

Richard表示，未来SiC将全面涵盖电动汽车的DC/DC、OBC以及牵引逆变器领域，因此需要不断提高SiC FET的性能与可靠性，以减少电力电子转换过程中的损耗，从而提升SiC的竞争力。

UnitedSiC第四代产品提供诸多业界最佳

尽管此前UnitedSiC与功率行业巨头相比，一直都是“小公司”，但其推出的新品从来没令市场失望过，同时随着加入Qorvo，其整个供应链及市场协同效应将会进一步显现。

此次，UnitedSiC第四代1200V UF4C/SC系列SiC共推出了六款器件，RDS(on)从23mΩ到70mΩ，并以TO247-4L(采用开尔文连接)封装提供，而53mΩ和70mΩSiC FET还以TO247-3L封装提供，从而满足客户的不同要求。

同时，产品拥有业界最佳的FoM，包括RDS(on) x Area, RDS(on) x Coss,tr，RDS(on) x Eoss以及RDS(on)x Qg。

Richard强调，UnitedSiC特有的cascode架构，可以实现+/-20V的Vgs和高阈值电压(4.8V)，从而提高了噪音裕度。同时，产品可支持0-12V、0-15V 栅极驱动，因此兼容 Si MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 栅极驱动电压，这也是UnitedSiC产品最为突出的特点之一。“我们的产品不对驱动有过多要求，同时可以非常容易的导入到其他设计方案中，这对于供应链紧张的当下非常有益。”Richard说道。

没有短板的FoM

根据UnitedSiC给出的官方雷达图所显示的，UnitedSiC的产品在各项FoM中，均优于竞争对手，这也意味着无论是针对软开关还是硬开关，在行业中都属于最优秀的水平，这也使客户无需针对具体的应用场景进行权衡。

UnitedSiC的第四代SiC FET具有出色的体二极管、其正向电压为1.0-1.5V，相比其他竞品则为3.0-3.5V，此外还具有极低的反向恢复电荷(Qrr)。

Richard表示，UnitedSiC第四代产品采用了最新的沟槽结构，从而减小了单元间距，同时优化了载流子漂移速度，这使得其产品“接近了SiC的极限性能”，从而实现了最出色的性能表现。并采用了先进的银烧结晶粒连接工艺，以及剪薄技术，因此其热性能更好，热阻与同等级其他FET相比低了26%-60%。

全场景的应用

除了同其他竞品比较之外，UnitedSiC也给出了与第三代产品相比的进步。新器件在给定晶粒面积下的RDS(on)最多可降低40%，25oC的RDS(on) x Eoss可降低37%，25oC的RDS(on) x Coss,(tr)可降低54%。

正因第四代SiC适合各类软硬开关应用，UnitedSiC也给出了实际测试结果以证明这一优势。

在11kW 800V母线的OBC应用中，第四代SiC非常适合前级PFC，无论是尺寸、效率还是结温方面，都有着比第三代更出色的表现。

同时，针对OBC的DC/DC应用中，第四代SiC同样可以更充分发挥出SiC器件的优势。

UnitedSiC大部分产品均符合AEC-Q101车规级认证，但Richard也强调，UnitedSiC的第四代产品还适合包括新能源、焊接机、UPS等广泛的对于品质要求日益严苛的工业领域。

目前，已有多家客户同UnitedSiC展开针对第四代SiC的合作，官方公布的最新一个案例是阿尔卑斯阿尔派的3.3kW DC/DC 转换器，选择了UnitedSiC第四代750V SiC。