UnitedSiC 为功率设计扩展高性能且高效的7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性

最新更新时间:2022-08-04来源: EEWORLD关键字:UnitedSiC  功率设计 手机看文章 扫描二维码
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UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合7 款 D2PAK 表贴器件提供出色的灵活性


中国北京 – 2022 年 8 月 4 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc. 今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案,Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装,为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。

 

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在 650/750V 状态下,第四代 UJ4C/SC 系列的 RDS(on) 为 9 毫欧姆 (mohm),实现行业低水平,该系列的额定电阻为 9、11、18、23、33、44 和 60 豪欧姆。该广泛选择为工程师提供更多器件选项,支持更大的灵活性,以实现理想成本/效率平衡,同时维持丰富的设计裕量和电路稳健性。这些器件利用独到的共源共栅 SiC FET 技术,其中,处于常开状态的 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,产生处于常闭状态的 SiC FET,这些器件提供出色的 RDS x A 品质因数,能够最大限度减少小尺寸裸片中的传导损失。


UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)总工程师 Anup Bhalla 表示:“D2PAK-7L 封装可减少紧凑内部连接回路中的电感,再加上附带的开尔文源连接,能够实现低开关损耗,支持更高的工作频率,并提高系统功率密度。此外,这些器件采用银烧结芯片贴装,通过液体冷却最大限度排出标准 PCB 和 IMS 基板上的热量,因此热阻非常低。”


采用 D2PAK-7L 封装系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售价(1000 件起,美国离岸价)为 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通过授权经销商销售。


如需进一步了解 UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行业先进的性能品质因数,降低传导损失,提高更高速度时的效率,同时改善整体成本效率


关键字:UnitedSiC  功率设计 编辑:张工 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/dygl/ic618092.html

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