中国FD-SOI布道者——芯原董事长戴伟民

2018-09-21来源: EEWORLD关键字:FD-SOI  芯原

“这几年从FD-SOI论坛议题来看,已经从是否会出来FD-SOI产业而变成了FD-SOI什么时候会大范围部署了。”芯原董事长兼总裁戴伟民博士感慨道。


作为FD-SOI的国内布道者,同时也是SOI产业联盟重要成员,芯原已连续六年在中国联合国际SOI产业联盟(SOI Industry Consortium)、中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)、上海微技术工业研究院(SITRI)举办中国FD-SOI论坛,让中国产业界了解FD-SOI,同样的,让FD-SOI产业界了解中国的需求,搭建起一座FD-SOI产业桥梁。戴博士无论公务多么繁忙,也会在论坛上完整的聆听一整天时间。


很难能够用量化的方式表达戴博士和芯原对于中国FD-SOI产业的推动力,也不敢随意夸奖芯原,只能细数一些芯原对于产业界的贡献,让大家对芯原在FD-SOI上努力有所了解。


image.png


芯原董事长兼总裁戴伟民博士


image.png


2013年FD-SOI论坛和2017年论坛对比图,已经从50人的小型学术会议变成400人的大型产业峰会。


技术角度看芯原对FD-SOI的贡献


芯原成立于2001年,是中国最大的芯片设计服务供应商,其70%的收入来自中国以外区域,目前拥有接近700名员工,研发团队占员工总数80%,同时80%的员工分布在上海和成都。


在芯片设计领域,芯原采用了交钥匙的解决方案,可以从Spec级别开始到最终量产芯片,芯原可以提供一整套设计服务,代工服务以及封测服务。根据统计,一年间芯原tapeout的芯片数达50颗,平均一周就有一颗,其中98%一次即成功。据统计,基于芯原开发的14nm FinFET产品累计出货超一万片晶圆,10FinFET累计超过了两万片。现在,芯原基于EUV的7nm FinFET产品已经tape out。


戴博士表示,英特尔和台积电选择FinFET是一件正确的事,因为他们的产品面向的是高性能,高密度的应用,但其同时强调:“格罗方德的选择(放弃7nm FinFET)也是一件正确的决策,在关键时刻一定要两条腿走路,才会走得更快更稳。


image.png


正如图中所示,对于高性能计算来说,FinFET最为合适,而对于嵌入式计算或边缘计算来讲,由于增加了对射频、功耗和价格的限制,FD-SOI技术更为合适。


正因为此,在设计服务领域,芯原除了FinFET之外,还和ST、格罗方德与三星在FD-SOI上建立了合作关系,包括为业界首款L4无人驾驶芯片AiMotive提供设计服务。“业界首款L4级无人驾驶芯片采用的就是FD-SOI技术,而不是使用FinFET。与此同时,功耗仅为120W,仅为英伟达无人驾驶系统功耗的1/10左右。”戴博士强调道。


image.png


AiMotive的性能功耗比远远超过了竞争对手英伟达


实际上还有诸多AI芯片厂商和IoT厂商采用芯原服务,只是由于商业机密不方便透露,不过我们可以根据Compass Intelligence近期给出的全球AI芯片排名看出一二,在这份排名中,芯原位居全球第21位,大陆地区排名第三,位于海思和瑞芯微之后,可见其在AI芯片界的影响力。


在IP领域,芯原同样为FD-SOI产业贡献许多。Vivante GPU IP已经成功进入10大汽车厂商中的7家公司,实装到了7500万辆车上,其IP是全球排名第一的车用LCD仪表盘图像IP、排名第二的IVI系统图像IP以及排名第三的信息娱乐系统IP。


图像处理IP也广泛被国内外客户所采纳,其中既包括大华等系统公司,也包括Aimotive等初创公司,既包括NXP等国际大厂,又包括瑞芯微等国内公司。


image.png


视觉图像处理器IP部分客户


坦率地说,FD-SOI目前生态系统不够友善的重要原因就是IP不足,怎么办呢?自己做!芯原和格罗方德及三星联合开发了诸多IP,包括MIPI、USB等接口,也包括ADC、收发器等模拟产品,还包括PLL甚至温度传感器IP等,也有在体偏置等技术上提供相应优化服务,为FD-SOI产业加速发展起到了非常重要的作用。


image.png


帮助格罗方德实现的部分IP一览


芯原设计实现总监朱炯回顾了2017年FD-SOI论坛上,芯原在各家代工厂的IP和设计服务计划,目前均已实现。


image.png


对FD-SOI产业的执着


我不止一次听说,戴博士是位热心总裁。


芯原不单是在上海举办FD-SOI论坛,同时在成都,芯原也联合主办了青城山中国IC生态高峰论坛,今年邀请到了包括SOI联盟主席Carlos Mazure,格罗方德汽车电子、物联网、网络业务开发部门副总裁 Mark Granger等一批活跃在FD-SOI的产业界人士,搭建中国与欧洲在FD-SOI交流桥梁。


此外,芯原还坚持举办了四年FD-SOI大学生集成电路竞赛,培养学生们对FD-SOI技术的兴趣。


image.png


FD-SOI大学生集成电路竞赛现场图


正是戴博士和芯原的不断坚持,支撑起行业对于FD-SOI的执着,也使得产业界人士对FD-SOI论坛给与了越来越强有力的支持。云天励飞总裁陈宁,刚刚在全球人工智能大会上发言,之后便匆匆赶到FD-SOI论坛现场,为大家分享了云天励飞如何利用AI技术帮助协助深圳政府构建智慧和安全的城市。


image.png


云天励飞总裁陈宁


image.png


格芯成都工厂项目签约仪式上,戴博士和中国科学院院士,中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦共同见证。


image.png


这是戴博士非常喜欢的一张照片,22FDX就像桥一样,将成都和德国联系在一起,将中国和欧洲联系在一起。


其实芯原也是一座桥,是连接代工厂和设计企业的桥梁,是连接FD-SOI产业的桥。

关键字:FD-SOI  芯原 编辑:冀凯 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/2018/ic-news092126973.html

上一篇:聚力AI,艾拉比荣获“优秀服务机器人企业奖”
下一篇:Soitec参加SOI高峰论坛,探讨SOI技术在中国发展

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

瞄准智能汽车领域,Soitec将推新一代衬底产品
-SOI,FD-SOI,RF-SOI,POI以及即将推出的新一代SiC和GaN衬底。这些产品可以满足汽车互联、汽车雷达、娱乐系统、以及自动驾驶中各种汽车电子系统不同的创新需求。针对业务单元是FD-SOI,Soitec全球业务部高级执行副总裁Bernard ASPAR介绍说:“FD-SOI是一个非常独特的技术,特别是针对于能耗、AI、5G这方面的问题。随着第一波FD-SOI的使用,它现在已经成为一个真正的产品。FD-SOI使用的范围是非常广的,包括汽车、物联网、智能手机等。FD-SOI可以用于带嵌入式内存的低功耗FPGA平台,也可用于高效多线程的驾驶辅助处理器,还有边缘计算当中的语音处理器,以及其他的微控制单元。随着多年对于FD-SOI
发表于 2020-07-06
瞄准智能汽车领域,Soitec将推新一代衬底产品
莱迪思推出第二代FD-SOI技术的Certus-NX
莱迪思半导体公司日前宣布推出全新Lattice Certus-NX系列FPGA。该系列器件在通用FPGA市场上拥有领先的IO密度,每平方毫米的IO密度最高可达同类FPGA竞品的两倍。Certus-NX FPGA拥有卓越的低功耗、小尺寸、高可靠性和瞬时启动等特性,支持高速PCI Express(PCIe)和千兆以太网接口,可实现数据协同处理、信号桥接和系统控制。Certus-NX FPGA面向从自动化工业设备中的数据处理到通信基础设施中的系统管理等一系列应用。Lattice Nexus?是业界首个基于28 nm FD-SOI工艺的低功耗FPGA技术平台,而Certus-NX器件是在该平台上开发的第二款FPGA系列产品。Certus
发表于 2020-07-01
莱迪思推出第二代<font color='red'>FD</font>-<font color='red'>SOI</font>技术的Certus-NX
Globalfoundries在22nm FD-SOI工艺上提供eMRAM
Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术,该公司正在与几个客户合作,计划在2020年实现多个流片。eMRAM将成为物联网,通用MCU,汽车,边缘AI和其他低功耗应用的一种经济高效的选择。Globalfoundries的eMRAM设计为替代大容量嵌入式NOR闪存(eFlash),使设计人员能够扩展其现有的IoT和MCU单元架构,以获取28nm以下技术节点的功耗和密度优势。Globalfoundries的eMRAM是一种高度灵活的功能强大的eNVM,已通过了五项严格的实际焊锡回流测试,并在-40°C至125°C的温度范围内支持10万次循环的耐久性和10年的数据保留。FD-SOI eMRAM工艺支持
发表于 2020-03-02
中端FPGA工艺下探 莱迪思新平台导入了28nm FD-SOI技术
是业界首款28nm基于FD-SOI的FPGA平台,该平台优化的DSP模块和更大的片上存储器可实现低功耗高性能的计算,如AI推理算法,并且运行速度是之前莱迪思FPGA的2倍而功耗减少一半。FD-SOI带来的变化另外,Nexus平台采用的三星28 nm FD-SOI工艺技术,与bulk CMOS工艺相比漏电降低了50%,符合莱迪思对低功耗技术平台的期望。谈到使用28 nm FD-SOI工艺的原因,陈英仁还补充道,该工艺可以缓和“高性能”和“低功耗”的冲突,FD-SOI可以做电压的控制,进而控制反馈偏压(Back Bias),实现低功耗或高性能这两种可选的设定。有了三星28 nm FD-SOI工艺,Nexus平台的静态功耗最高可以比竞争对手降低
发表于 2019-12-12
中端FPGA工艺下探 莱迪思新平台导入了28nm <font color='red'>FD</font>-<font color='red'>SOI</font>技术
28 nm FD-SOI工艺,莱迪思全新低功耗FPGA技术平台问市
莱迪思Nexus技术平台采用三星代工厂28 nm FD-SOI工艺,提供解决方案、架构和电路层面的创新,实现低功耗网络边缘应用 莱迪思半导体公司,低功耗可编程器件的领先供应商,今日宣布推出全新低功耗FPGA技术平台——Lattice Nexus™。该技术平台旨在为各类应用的开发人员带来低功耗、高性能的开发优势,如物联网的AI应用、视频、硬件安全、嵌入式视觉、5G基础设施和工业/汽车自动化等。无论是在解决方案、架构还是电路设计层面,莱迪思Nexus均展现出卓越的创新,能够大幅降低功耗且提供更高的系统性能。 莱迪思半导体研发副总裁Steve Douglass表示:“莱迪思Nexus技术平台增强了FPGA的并行处理
发表于 2019-12-11
优化衬底,Soitec赋能5G
。” SOI产业联盟致力打造产业规模效应 会上,SOI产业联盟董事长兼执行理事Carlos Mazure分享了成立SOI产业联盟的初衷和以及未来的生态系统。SOI产业联盟董事长兼执行董事Carlos Mazure博士,自2001年以来,担任Soitec公司首席技术官兼执行副总裁,研发部主管。自2014年7月起,任SOI工业联盟主席兼执行董事。他是SOI行业联盟的主席兼执行董事,也是多个国际咨询委员会和公司董事会成员。 成立SOI产业联盟的宗旨就是以SOI生态系统为基础,加速产品应用和落地,并提供一个宽广的平台,推动创新技术的发展。  而作为半导体衬底的FD-SOI
发表于 2019-09-23
优化衬底,Soitec赋能5G
小广播
换一换 更多 相关热搜器件

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

词云: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2021 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved