IGBT—未来功率半导体的中流砥柱

2019-08-19来源: EEWORLD关键字:IGBT
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。


IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。



IGBT是能源转换与传输的核心器件,是电力电子装置的“CPU” 。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。



IGBT是以GTR为主导元件,MOSFET为驱动元件的达林顿结构的复合器件。其外部有三个电极,分别为G-栅极,C-集电极,E-发射极。



在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。


1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。


2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。


3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:


②若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。
②若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

image.png


IGBT各世代的技术差异


回顾功率器件过去几十年的发展,1950-60年代双极型器件SCR,GTR,GTO,该时段的产品通态电阻很小;电流控制,控制电路复杂且功耗大;1970年代单极型器件VD-MOSFET。但随着终端应用的需求,需要一种新功率器件能同时满足:驱动电路简单,以降低成本与开关功耗、通态压降较低,以减小器件自身的功耗。1980年代初,试图把MOS与BJT技术集成起来的研究,导致了IGBT的发明。 


1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)。自此以后, IGBT主要经历了6代技术及工艺改进。

image.png


从结构上讲,IGBT主要有三个发展方向:


1)IGBT纵向结构:非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;


2)IGBT栅极结构:平面栅机构、Trench沟槽型结构;


3)硅片加工工艺:外延生长技术、区熔硅单晶;


其发展趋势是:①降低损耗 ②降低生产成本


总功耗= 通态损耗 (与饱和电压 VCEsat有关)+开关损耗 (Eoff Eon)。同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。


IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主,中低压IGBT模块则出现了很多新技术,如烧结取代焊接,压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。


随着IGBT芯片技术的不断发展,芯片的最高工作结温与功率密度不断提高, IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块技术发展趋势:


  • 无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术;
  • 内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件,不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。


image.png

IGBT的主要应用领域


作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT已广泛应用于工业、 4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。

image.png

1)新能源汽车


IGBT模块在电动汽车中发挥着至关重要的作用,是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。IGBT模块占电动汽车成本将近10%,占充电桩成本约20%。IGBT主要应用于电动汽车领域中以下几个方面:


A)电动控制系统 大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机;


B)车载空调控制系统 小功率直流/交流(DC/AC)逆变,使用电流较小的IGBT和FRD;


C)充电桩 智能充电桩中IGBT模块被作为开关元件使用;


2)智能电网


IGBT广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端:

  • 从发电端来看,风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都需要使用IGBT模块。
  • 从输电端来看,特高压直流输电中FACTS柔性输电技术需要大量使用IGBT等功率器件。
  • 从变电端来看,IGBT是电力电子变压器(PET)的关键器件。
  • 从用电端来看,家用白电、 微波炉、 LED照明驱动等都对IGBT有大量的需求。


image.png


3)轨道交通


IGBT器件已成为轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。交流传动技术是现代轨道交通的核心技术之一,在交流传动系统中牵引变流器是关键部件,而IGBT又是牵引变流器最核心的器件之一。


IGBT国内外市场规模


2015年国际IGBT市场规模约为48亿美元,预计到2020年市场规模可以达到80亿美元,年复合增长率约10%。2014年国内IGBT销售额是88.7亿元,约占全球市场的1∕3。预计2020年中国IGBT市场规模将超200亿元,年复合增长率约为15%。


从公司来看,国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、 ABB、三菱、西门康、东芝、富士等。中国功率半导体市场占世界市场的50%以上,但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上,90%主要依赖进口,基本被国外欧美、日本企业垄断。


image.png

国外企业如英飞凌、 ABB、三菱等厂商研发的IGBT器件产品规格涵盖电压600V-6500V,电流2A-3600A,已形成完善的IGBT产品系列。


英飞凌、 三菱、 ABB在1700V以上电压等级的工业IGBT领域占绝对优势;在3300V以上电压等级的高压IGBT技术领域几乎处于垄断地位。在大功率沟槽技术方面,英飞凌与三菱公司处于国际领先水平。


西门康、仙童等在1700V及以下电压等级的消费IGBT领域处于优势地位。


尽管我国拥有最大的功率半导体市场,但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距,特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中,IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。跟国内厂商相比,英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有绝对的市场优势。形成这种局面的原因主要是:


  • 国际厂商起步早,研发投入大,形成了较高的专利壁垒。
  • 国外高端制造业水平比国内要高很多,一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。


中国功率半导体产业的发展必须改变目前技术处于劣势的局面,特别是要在产业链上游层面取得突破,改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。


总的来说,在技术差距方面有:高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上,技术壁垒较强;IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。



近几年中国IGBT产业在国家政策推动及市场牵引下得到迅速发展,已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整产业链,IGBT国产化的进程加快,有望摆脱进口依赖。



受益于新能源汽车、轨道交通、智能电网等各种利好措施,IGBT市场将引来爆发点。希望国产IGBT企业能从中崛起。

关键字:IGBT

编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/ic471633.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:你不给我就自己做,韩国企业成功开发高纯度氟化氢
下一篇:5G需求火热!铜箔基板打响关键零件涨价第一枪

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

比亚迪吴海平:新能源汽车IGBT的技术进展

从功率器件来说,主要是IGBT,我们首先需要有更低的损耗,提高驱动效率,降低温升,帮助减少芯片面积,提高晶圆尺寸,降低成本。集成度提升也包括芯片面积减少还有更高的结温和更高的可靠性。本文为励展博览集团及NE时代于8月28-29日联合主办的 "第二届AWC2019新能源汽车关键元器件技术大会" 演讲嘉宾的现场实录。演讲嘉宾:吴海平 比亚迪第六事业部IGBT芯片产品部高级研发经理演讲主题:新能源汽车IGBT的技术进展吴海平:各位嘉宾大家上午好,感谢NE时代组织的这场论坛,让我有机会和大家分享一下相关技术进展。我是来自比亚迪微电子的吴海平,比亚迪微电子是比亚迪的全资子公司,比亚迪微电子产品包括新能源汽车
发表于 2019-09-04

SiC在电动车市场应用广泛

在为功率转换选择高功率开关器件时,过去只有两个选择,硅MOSFET或者是IGBT,然而最新的应用如AC-DC转换器,逆变器,DC-DC转换器等,都达到了上千V水平,需要考虑SiC等更耐高压的产品。对于高压开关,与传统的硅MOSFET和IGBT相比,SiC MOSFET具有显着的优势,支持超过1,000 V的高压电源轨,且工作在数百KHz频率,甚至超过了最好的硅MOSFET。值得注意的是,SiC器件可以满足新要求,但他们的电路要求不同。具体而言,它们具有特殊的栅极驱动需求,安森美半导体通过其SiC栅极驱动器系列解决了这一问题,将SiC MOSFET的优势带入当今要求苛刻的电源产品中,尤其是汽车电气系统和电动汽车等。应用目标
发表于 2019-08-26
SiC在电动车市场应用广泛

一文看懂IGBT芯片是如何工作的

随着现代科技的发展,先进半导体芯片得到了越来越多的重视。其实,半导体芯片在生活中的应用场景有很多,主要有:逻辑半导体——应用于电脑和各种移动终端中的核心计算芯片;存储半导体——我们手机的RAM、ROM等;以及功率半导体——广泛应用于汽车、高铁、电力行业的各种功率芯片,其中最著名的可能是IGBT。IGBT这个词你可能从没听过,但它一直在我们身边默默服务。小到微波炉、变频空调、变频冰箱,大到新能源汽车、高铁,甚至航母的电磁弹射,IGBT都不可或缺。作为半导体开关之一,IGBT是能量变换和传输的核心零件。常见的强电只有50Hz交流电,变压器只能改变它的电压。有了IGBT这种开关,就可以通过电路设计和计算机控制,改变交流的频率,或者把交流
发表于 2019-08-21
一文看懂IGBT芯片是如何工作的

​详解SiC在EV/HEV中的价值,以及如何更好的发挥其价值

)的器件改进都将产生巨大影响。在过去的几十年中,主要的功率开关器件是基于硅(Si)的MOSFET和IGBT。虽然技术进步大大提高了它们的性能,但目前他们的结构已基本稳定。幸运的是,在过去的几十年中,另一种固态MOSFET工艺技术已经成熟,其中一种是基于碳化硅(SiC)材料而不仅仅是硅,目前存在超过100种不同的SiC多型(独特结构)的结构,但由于生产和加工原因,4H和6H型是最受关注的。SiC相比Si提供了许多关键的主导属性:SiC提供的关键电场大约是Si的八倍,因此非常适合功率半导体器件。高介电强度允许更薄的管芯,其可以掺杂到更高的水平,导致更低的损耗。SiC的导热率约为Si的三倍,因此产生的任何热量都可以通过传导传递,而材料本身的温度
发表于 2019-08-15
​详解SiC在EV/HEV中的价值,以及如何更好的发挥其价值

ADuM4135栅极驱动器与Microsemi IGBT模块配合使用分析

简介绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100 kHz。IGBT可以是单一器件,甚至是半桥器件,如为图1所示设计选择的。本应用笔记所述设计中的APTGT75A120 IGBT是快速沟槽器件,采用Microsemi Corporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20 kHz的开关频率,以及由于对称设计,具有低杂散电感的软恢复并联二极管。选定IGBT模块的高集成度可在高频率下提供最优性能,并具有较低的结至外壳热阻。使用ADI公司的栅极驱动技术驱动IGBT
发表于 2019-08-14
ADuM4135栅极驱动器与Microsemi IGBT模块配合使用分析

小广播

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2019 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved