Qorvo 黄靖:5G基站市场给氮化镓打开爆发空间

2019-09-11来源: EEWORLD关键字:Qorvo  5G  氮化镓

日前,在第二届IC全球企业家峰会氮化镓产业论坛上,Qorvo应用市场总监黄靖作了题为《5G关键技术-氮化镓》的演讲。

 

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Qorvo应用市场总监黄靖


黄靖表示,复合化合物半导体在在未来几年5G的快速爬坡中将出现爆发性增长,尤其是在基站PA应用中,氮化镓将取代传统的LDMOS。就国内基站市场而言,Qorvo预估明年将有60万个宏基站部署。

 

谈到基站与组网,黄靖说道毫米波频段不会像Sub-6GHz那么容易部署和组网,因此大部分都会在前传网络节点中出现,而今后主要的5G组网方式仍将是以Sub-6GHz为主。

 

黄靖说道,作为基站来说,天线数量相对过去要增加,同时基站总功率也需要增加,高效率的需求是LDMOS必然被氮化镓所取代的最主要原因。“运营商基站建设的投资要考虑Capex和Opex,如何帮助客户实现更高的效率节约更多的成本,就需要高可靠的氮化镓材料,支持更低功耗,更高带宽和更高的频率。”

 

黄靖表示,目前Qorvo基站用氮化镓的主流工艺为0.25μm,相比市场上0.4μm工艺,可在更高频率实现高性能。

 

此外,除了氮化镓之外,Qorvo在发射端也有砷化镓产品,而接收端则包括了砷化镓和SOI及BAW的特色工艺技术。

 

黄靖总结道,目前Qorvo提供了集成封装的组合方案,同时也针对更高性能的微波应用需求推出单片产品。

 

谈及氮化镓的衬底市场是硅基还是碳化硅基时,黄靖认为目前硅基产品的低成本还没有体现出来,尤其是从衬底开始的整套配合,并不像碳化硅产业链一样完整。且目前碳化硅制程已经从4英寸即将扩展到6英寸,而硅基产品目前还没有规模量产到8英寸,因此想与碳化硅竞争尚需时日。但未来产业链成熟之后,低成本的硅基还是会有充足的发挥空间。


关键字:Qorvo  5G  氮化镓

编辑:baixue 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/ic474145.html
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