Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

2019-12-11来源: EEWORLD关键字:Vishay  MOSFET

器件适用于24 V系统双向开关,最佳RS‑S(ON)典型值低至10 mW

单位面积RS-S(ON)达业内最低水平


日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

 

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日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60 V器件,比这一封装尺寸排名第二的产品低42.5%,比Vishay上一代器件低89%。

 

从而降低电源通道压降,减小功耗,提高效率。为提高功率密度,SiSF20DN的RS1S2(ON) 面积乘积低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,甚至包括6 mm x 5 mm较大封装解决方案。

 

为节省PCB空间,减少元件数量并简化设计,该器件采用优化封装结构,两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列,加大连接提高PCB接触面积,与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关,包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安防/监视和烟雾报警器。

 

SiSF20DN进行了100 % Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

新型MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为30周。

 


关键字:Vishay  MOSFET 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/ic482569.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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