Vishay新型200V n沟道MOSFET,提高系统功率密度,节省能源

2020-09-23来源: EEWORLD关键字:Vishay  MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %。 

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日前发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %,FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗,从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗,但体积大的MOSFET,节省PCB空间,或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET。

 

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流,包括通信设备、计算机外设、消费电子; 笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光;以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。

 

器件经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

SiSS94DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。


关键字:Vishay  MOSFET 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/ic511319.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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