Vishay推出40 V MOSFET半桥功率级,功率密度和效率大幅提升

2020-10-27来源: EEWORLD关键字:Vishay  MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体封装中集成高边和低边MOSFET,导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)达到业界出色水平。 

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SiZ240DT中的两个TrenchFET® MOSFET内部采用半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET,通常用作同步降压转换器的控制开关,10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ,4.5 V时为12.25 mΩ。通道2 MOSFET,通常用作同步开关,10 V时导通电阻为8.41 mΩ,4.5 V时为13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16 %。结合6.9 nC(通道1)和6.5 nC(通道2)低栅极电荷,导通电阻与栅极电荷乘积FOM比位居第二的器件低14 %,有助于提高快速开关应用的效率。

 

日前发布的双MOSFET比采用6 mm x 5 mm封装的双器件小65 %,是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压,DC/DC转换半桥功率级之外,新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案,适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭/办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制,以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。

 

集成式MOSFET采用无导线内部结构,最大限度降低寄生电感实现高频开关,从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低噪声,进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100 % Rg和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

新型双MOSFET现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。


关键字:Vishay  MOSFET 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/ic514406.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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