Intel全力押注EUV工艺 争取首发下代高NA光刻机

最新更新时间:2021-07-27来源: 快科技关键字:EUV

Intel这几年在工艺进度上落后跟10nm、7nm工艺多次跳票有关,而新工艺延期也跟Intel此前不考虑EUV工艺有关,所以10nm工艺才上了四重曝光,导致良率上不去,迟迟无法量产。

  

Intel之前认为EUV工艺不够成熟,现在EUV光刻工艺已经量产几年了,Intel也开始跟进了,原先的7nm工艺、现在的Intel 4工艺会是全面使用EUV光刻机的开始,首款产品是Meteor Lake流星湖,2023年发布。

  

之后的Intel 3工艺、Intel 20A工艺上也会持续利用EUV工艺,进一步提升性能及能效。

  

再往后Intel还会积极跟进EUV技术发展,2025年之后的工艺已经规划到了Intel 18A,将使用第二代RibbonFET晶体管,EUV光刻机也会有一次重大升级。

  

Intel表示致力于定义、构建和部署下一代High-NA EUV,有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机。

  

Intel目前正与ASML密切合作,确保这一行业突破性技术取得成功,超越当前一代EUV。

  

这就意味着Intel很有可能首发下一代EUV光刻机,NA数值孔径从目前的0.33提升到0.5,这是ASML的NXE:5000系列,之前预计是在2023年问世,现在推迟到了2025-2026年,单台售价预计将超过3亿美元,差不多人民币20亿一台。

  

Intel为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥,现在可以说是拼了老命了,对玩家来说这倒是好事,以往的带头大哥回来了。


关键字:EUV 编辑:王兆楠 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/manufacture/ic543001.html

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