基于AVR单片机中的EEPROM和FLASH的区别及使用方法解析

2020-01-15来源: eefocus关键字:AVR单片机  EEPROM  FLASH

1.EEPROM介绍

Electrically Erasable Programmable Read Only Memory电气可拭除可编程只读存储器

发展过程:ROM – 》 PROM –》 EPROM –》 EEPROM


2.EEPROM和FLASH的区别

2.1 使用上的区别

FLASH用于存放程序,在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到FLASH中的;

RAM用作程序运行时的数据存储器;

EEPROM用于存放数据,是用来保存掉电后用户不希望丢的数据,开机时用到的参数。运行过程中可以改变。


FLASH是用于存储程序代码的,有些场合也可能用它来保存数据,当然前提是该单片机的FLASH工艺是可以自写的(运行中可擦写),但要注意FLASH的擦写次数通常小于一万次,而且通常FLASH只能按块擦除。EEPROM不能用来存程序,通常单片机的指令寻址不能到这个区域。EEPROM的擦写次数应有百万次,而且可以按字节擦写。EEPROM在一个PAGE内是可以任意写的,FLSAH则必须先擦除成BLANK,然后再写入,而一般没有单字节擦除的功能,至少一个扇区擦除。

基于AVR单片机中的EEPROM和FLASH的区别及使用方法解析

2.2 结构上的区别

EEPROM和FLASH都是非易失性存储器。

FLASH的全称是FLASH EEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同。

FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。


3.EEPROM的使用方法

AVRGCC里面自带有EEPROM读写函数。

使用时需包含头文件#include ,部分读写函数如下:

#define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR, EEWE)//检测EEPROM是否准备好。OK返回1(返回EEWE位)

#define eeprom_busy_wait() do {} while (!eeprom_is_ready())//等待EEPROM操作完成

extern uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr);//读取指定地址的一个字节8bit的EEPROM数据

extern uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr);//读取指定地址的一个字16bit的EEPROM数据

extern void eeprom_read_block (void *buf, const void *addr, size_t n);//读取由指定地址开始的指定长度的EEPROM数据

extern void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val);//向指定地址写入一个字节8bit的EEPROM数据

extern void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val);//向指定地址写入一个字16bit的EEPROM数据


通过串口向单片机发送配置命令,单片机收到指令后,利用函数write_EEPROM_config()将相应的配置信息存放于EEPROM中。系统初始化时,利用函数read_EEPROM_config()从EEPROM中取出相应的数据,用于系统的初始化。

关键字:AVR单片机  EEPROM  FLASH 编辑:什么鱼 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/mcu/ic485755.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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