MSP430 Flash信息区

2020-01-19来源: eefocus关键字:MSP430  Flash  信息区

430单片机,一般具有内部的信息区,以便保存一些需要EEPROM才可保存的数据。 


在论坛没有收到相关信息,就借用网上的,抛砖引玉,如果有什么问题,多多指正,一起掌握! 


MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x1000到0x107F,SegmentA的地址是:0x1080到0x10FF。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFF开始,每512字节为一段进行分配。 


FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入数据,及擦除一段。 


运行代码

 

void flash_clr(int *ptr)  

{  

    _DINT();                            //关中断  

    FCTL3 = 0x0A500;              //* Lock = 0 开锁  

    FCTL1 = 0x0A502;              //* Erase = 1 使能擦除  

    *((int *) ptr) = 0;           //* 擦除段  

}  

 

FLASH存储器可以按字节写入,也可以按字写入。  

    // 字节写入  

void flash_write_int8(int8_t *ptr, int8_t value)  

{  

    _DINT();  

    FCTL3 = 0x0A500;          // Lock = 0 开锁  

    FCTL1 = 0x0A540;          // Write = 1使能写入  

    *((int8_t *) ptr) = value;       // 写入数据  

}  

    // 字写入  

void flash_write_int16(int16_t *ptr, int16_t value)  

{  

    _DINT();  

    FCTL3 = 0x0A500;              /* Lock = 0 */  

    FCTL1 = 0x0A540;              /* Write = 1 */  

    *((int16_t *) ptr) = value;       /* Program the flash */  

}  

   FLASH存储器可以连续写入  

   // 按字节写入指定的数量的数据  

void flash_memcpy(char *ptr, char *from, int len)  

{  

    _DINT();  

    FCTL3 = 0x0A500;              /* Lock = 0 */  

    FCTL1 = 0x0A540;              /* Write = 1 */  

    while (len)  

    {  

     *ptr++ = *from++;  

     len--;  

    }  

}  

 

    在我们的应用程序中可以将要保存的数据放在一个自定义的结构中,例如:  

typedef struct Setup  

{  

    float gain_ch0;       // 0通道增益  

    float gain_ch1;       // 1通道增益  

    float gain_ch2;       // 2通道增益  

    …  

    char init_flag;         //初始化标记,恒为0xAA;  

}SETUP;  

 


我们定义了一个SETUP结构,存放三个AD通道的增益,以及其他要掉电保存的信息,init_flag的作用是标志FLASH的参数是否已被正确初始化,当我们设置了FLASH参数后,将init_flag置一个固定值,例如设为0xAAh,在程序开始运行时,检查init_flag,当init_flag的值为0xAAh时,表明参数已被初始化。 

使用FLASH参数:在程序中定义一个SETUP类型的指针变量,通过这个指针访问FLASH中的参数。例如: 


运行代码

 

#define SegmentA   0x1080  

float   temp;  

SETUP *p_setup_flash = (SETUP *) SegmentA  

 

if(p_setup_flash-> init_flag == 0xAA)  

{  

  temp = p_setup_flash->gain_ch0;  

}  

  

修改FLASH信息:由于FLASH不能象RAM一样直接修改,可以将FLASH信息拷贝到RAM中,修改相应参数后,重新保存到FLASH存储器中,之前要先擦除FLASH存储区。例如: 


运行代码 

 

SETUP *p_setup;  

SETUP   buf;                // 临时变量  

p_setup = (SETUP *) SegmentA // 指向FLASH  

memcpy((char *) buf, (char *) p_setup_flash, sizeof(SETUP)); // 拷贝到RAM  

p_setup = &buf;           // 指向RAM  

p_setup-> gain_ch0 = 1.02; // 修改参数  

flash_memcpy((char *) p_setup_flash, (char *) buf, sizeof(SETUP)); // 拷贝到FLASH  


关键字:MSP430  Flash  信息区 编辑:什么鱼 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/mcu/ic486101.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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