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新半导体产线何时运作?三星陷入两难境地

2019-10-23
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之前,在半导体市况好的时候,韩国三星在西安市和韩国京畿道平泽市所扩增的半导体生产线,如今面临了在存储器市场价格跌价的情况下,何时进一步启动运作的大问题。


因为,一但三星启动新的产线,则将对目前好不容易有复甦迹象的半导体市场再进行一次的重击,使得市场重回供过于求,价格下跌的困境。但是,面对竞争对手开始进行增产的计划,三星也怕可能失去市场占有率。因此,这样问题让三星目前陷入两难的困扰中。


根据韩国媒体 《BusinessKorea》 的报导,原本三星预计在 2019 年藉由更新生产设备,使得 DRAM 的生产由 1x 纳米制程提升至 1y 纳米制程,来进一步调整 DRAM 的产能,达到以量制价恢复市场价格的目标,使整个半导体产业能重回成长的行列。


但是,根据最新的报价显示,截至 2019 年 9 月底,DRAM (DDR4 8 Gb) 和 NAND Flash 快闪存储器 (128 Gb MLC) 的价格分别为 2.94 美元和 4.11 美元,已经连续 2 个月没有变化,这使得三星开始考虑,是否真的要让新产能进行启动。


报导指出,事实上在 2019 年第 2 季财报公布后,三星的竞争对手包括 SK 海力士,东芝及美光等厂商宣布降低 DRAM 和 NAND Flash 快闪存储器的产能。


而这样的降低产能计划,虽然让半导体的供应量减少,但是却使得厂商能藉由调整供过于求的情况,来达到缓和存储器价格下跌的目标。但是,这样的情况到了 2020 年可能将会变得更加困难。


原因是三星在中国西安的第 2 家工厂和平泽的第 2 家工厂预计将开始大规模生产存储器,如此一来则存储器价格的再度下跌将是不可避免的事情。因此,出于这种担忧,三星表示目前尚未决定何时让新产线正式运作,或者是生产那种产品。


报导进一步表示,根据市场人士的推测,三星位在中国西安的第 2 家工厂将像第 1 家工厂一样进行 NAND Flash 快闪存储器的生产。原因是 NAND Flash 快闪存储器价格在 2019 年上半年的下滑已经到了价格平衡点 (BEP),这使得三星西安的第 2 家工厂有可能被用作 NAND Flash 快闪存储器的生产基地,以在地供应需求量很大的中国市场。


source:paixin


不过,这样的说法已经遭到了三星的否认,并且表示目前尚未进行任何的决定。


另外,近期竞争对手的举动加剧了三星的担忧。因为全球第三大 DRAM 制造商美光 (Micron) 在上个月的财报会议中指出,由于 2020 年 DRAM 的需求预计将成长 18% 至 20%,因此美光将相应的增加 DRAM 的供应,并宣布了其扩产计划。


虽然,凭借其在技术和生产能力方面的竞争优势,三星可以轻易的打败竞争对手。但是,考虑到该产业最近的全球形势,这依旧是非常冒险的。


尽管由于 5G 普及,让人们对存储器市场的另一个超级循环周期有所其期待。但是,因为苹果要到 2020 年下半年才发布 5G iPhone,这使得 2020 年对存储器的需求预计将受到一些限制。


再加上近来服务器市场对 DRAM 的大量需求,在最近几年中的确大幅度地推动了三星在市场中的出色表现。但是,未来的云端运算服务中重的是软件的优化,而不是增加购买存储器,因此需求几乎不可能反弹。


最后,该报导指出,由于三星在平泽的第二家工厂投资了 30 兆韩圜,可以开发基于 EUV 技术的 DRAM 生产,并且扩大晶圆代工方面的产能。因此,在该工厂建成后,该公司将根据市场情况弹性应用。


市场人士也指出,目前存储器的生产芯片需要考虑的因素很多,除设厂状况之外,还包括美中贸易战的后续,甚至是 2020 年美国总统大选的结果等。因此,现阶段要厂商做出是否启动新产线的决定并不容易。


来源:科技新报

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