datasheet

Icbank半导体行业观察

文章数:10576 被阅读:31428952

账号入驻

GaN毫米波器件面临的几点挑战

2019-08-09
    阅读数:

伴随着5G时代的到来,相关的电子元件也在向着更高的频率、更高的效率上发展。GaN(氮化镓)作为新一代半导体材料,能够满足电子器件向着毫米波方向发展的需求。因此,在5G时代下,GaN毫米波器件的发展也被市场普遍看好。

氮化镓毫米波器件的市场规模


据麦姆斯咨询报道,GaN将在未来几十年内以20%的复合年增长率(CAGR)显著地渗透两个主要市场——国防和无线通信。


在通信方面,由于5G通信相比于4G通信快10倍以上的通信速率,可将频谱带宽提高10倍以上。而GaN毫米波器件则具有高频、高效率、超宽频的特点,正符合未来5G通讯的需求——在5G毫米波应用上,GaN的高功率密度特性在实现相同覆盖条件及用户追踪功能下,可有效减少收发通道数及整体方案的尺寸。凭借GaN毫米波器件的优势,使得其能够在高性能无线解决方案中发挥关键作用。


在众多GaN毫米波器件中,又属GaN射频器件市场被众多从业者所看好。据Yole预测,2016-2020年GaN射频器件市场也将扩大至目前的2倍,市场复合年增长率(CAGR)将达到4%;2020年末,市场规模将扩大至目前的2.5倍。2019-2020年,5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年,GaN市场将有望超过30亿美元。


以GaN放大器为例,根据电子创新网消息显示,2019 年为中国5G建设元年,基站端GaN放大器同比增长达71.4%;2020年为5G建设爆发年,基站端GaN 放大器市场规模达32.7亿元,同比增长340.8%;预计到2023年基站端GaN放大器市场规模达121.7亿元,但2021~2023年同比增速逐渐下降。


依据拓璞分析,GaN放大器需求数量在2019-2023年保持快速增长,2023年达 18117万个,按照4” GaN晶圆切400个计算,则需要GaN晶圆数量达45万片。就增速而言,2020年增速最高,高达369%。 


氮化镓毫米波器件的挑战


GaN非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽,可以满足性能和小尺寸要求。但是在制造的过程中,仍存在着很大的挑战——基于InAlGaN、AlN等势垒材料是未来实现更高频率的选择,但这类高质量的外延层更难获得。另外,基于2DEG工作模式的器件,其线性问题会影响到器件在通讯领域的应用。因此,提高线性是通讯用毫米波器件的挑战。


GaN毫米波栅结构主要分为两种。一种是I型栅,I型栅的优势是制作简单,栅寄生电容小(提高ft),但是栅电阻太大,严重影响fmax,使器件在大功率应用中没有可用性。另外一种是T型栅,栅上部长度可以降低栅电阻从而提高fmax,栅高度可以降低栅寄生电容的影响。T型栅总体上增加了栅寄生电容(降低ft),同时工艺难度大,成品率低。


为了满足GaN毫米波器件保持高输出功率、高带宽以及高效率的要求,于是,AlGaN/GaN HEMT器件成为了重点研究对象之一。但传统T型栅GaN基HEMT器件,由于栅帽下方SiN钝化层的介电常数较高,使得米勒反馈电容较大,从而造成了器件的正向传输增益退化,影响器件的频率特性。


经过探索,有专家认为绝缘栅结构MIS-HEMT,能够有效抑制常规的肖特基栅泄漏电流,是提高器件效率的有效途径。并通过低欧姆接触工艺技术,能够让GaN毫米波器件得到有效的优化。



在泰克公司第三届半导体材料器件表征及可靠性研究交流会上,有行业专家分享了这方面的研究成果,欲了解更多氧化物半导体薄膜的多场调控发展前景,请点击下方原文阅读,获得完整PPT前30名用户还可获赠泰克官方整理的完整印刷版《半导体器件的表征及可靠性研究交流会汇编》(2018版)!



点击下方
阅读原文
,获得完整PPT!

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: TI培训

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved