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​美国围堵下的中国半导体

2019-11-05
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来源:内容来自「经济日报,谢谢。


美中贸易战含括关税、进口管制、出口管制、投资审查等层面,近期又因Global Foundries控告台积电,而使美国针对两岸半导体业进行337条款的调查,该条款主要是用来反对进口贸易中的不公平竞争行为,特别是保护美国知识产权人的权益不受涉嫌侵权进口产品的侵害。显然美中冲突不仅在于贸易层面,美国更试图透过限制贸易和打压高科技公司来达到限制中国发展的目的,显然美中关係进入到新时期的对抗阶段,未来美国对于技术管制、知识产权的保护将有增无减。


而在出口管制如华为事件下,代表中国深刻体会企业在科技领域唯有充分实现芯片供应链的自主可控,方可因应对国际形势突变而形成的危机,其中又以美国围堵下,中国半导体该如何以群战的方式突围最受市场瞩目。


事实上,在美中贸易战的驱动下,已促使中国半导体业进行长期扩张战略,即零组件一体化供应、核心芯片的突破将成为未来对岸行业加速发展的主要驱动力。也就是在原先中国本土半导体所拥有的基础优势下,再进行向前推进的步调,而过去半导体封测环节中国的发展相对较佳、较为成熟,包括长电科技、华天科技、通富微电均可名列全球第三、六、七名的地位,而集成电路设计业中国代表业者则包括CPU/基频/ISP的海思、CIS的豪威、射频的紫光展锐、AISC/AI的比特大陆、指纹/3D识别芯片的汇顶科技、安全芯片/FPGA的紫光国微、MIPS的北京君正,而中国积体电路设计环节成长速度较快,至于晶圆制造则相对较弱,但包括晶圆代工业者已持续加速制程的微缩,而记忆体制造方面则是力求突破。


从现阶段中国半导体的最新布局动作来看,将采取设计持续加大研发、制造则是新建多条晶圆线推动上下游配套、封测研发和在建工程加大的动作,代表从设计到代工和封测传导的群战策略为其主轴,仅是在核心晶片的国产化替代,尚需相当的时间,如射频晶片、功率半导体、DSP、基站器件、光器件、CPU预计追赶时间介于2~5年,EDA、FPGA则至少要五年以上。


*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。


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