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全球Nor Flash龙头易主

2020-05-27
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据台湾工商时报报道,记忆体大厂华邦电宣布夺下去年NOR Flash全球最大供应商龙头宝座。根据市场研究机构WebFeet Research最新市场资料,华邦电去年NOR Flash记忆体营收规模全球市占率达22.8%,此亮眼成绩归功于稳健的出货量,华邦电去年快闪记忆体总出货量逾30亿颗,一举占有全球NOR Flash记忆体全系列产品出货量的27.3%。

报道指出,华邦电第一季营收115.49亿元,毛利率季增2个百分点达24.1%,营业利益0.32亿元代表本业已开始获利,但因提列业外损失导致归属母公司税后净损0.87亿元,每股净损0.02元。不过,华邦电第二季以来受惠于DRAM、NOR/NAND Flash合约价同步上涨,4月合并营收月增5.0%达43.49亿元,较去年同期成长11.4%。法人看好华邦电第二季营运将由亏转盈且缴出获利成绩单。

他们表示,华邦电去年NOR Flash记忆体营收独占全球鳌头,全球市占率22.8%,出货量全球占有率27.3%。此外,就序列式NOR Flash记忆体而言,华邦电自2012年以来即为市场最大供应商,2019年在全球20.09亿美元的市场中拥有27.1%的市占率。

华邦电董事长焦佑钧在致股东报告书中提及,去年华邦电在编码型储存快闪记忆体的营收创新高,占全年营收比重51%,首次超越DRAM营收并成为最大的事业。华邦电与国际大厂建立紧密伙伴关系,其中NOR Flash更为全球第一领导厂商,亦为华邦电稳健成长主要动能。

为了因应不断攀升的快闪记忆体需求,华邦电于中科园区营运12吋晶圆厂外,亦计划于南科高雄园区建置第二座12吋晶圆厂,将视需求逐步扩增和调配产能,以期满足诸如AI、车用电子、储存装置、网络与5G等快闪记忆体新应用需求。

华邦电自2006年推出SpiFlash的NOR Flash产品线以来,在序列式快闪记忆体出货已逾200亿颗,在这段时间里,华邦电持续推进制程及封装能力,包括于2011年推出首款58纳米产品,现今已提供容量介于16Mb至1Gb、电压介于1.8V至3V的高容量58纳米SpiFlash,并计划于2021年推出最先进45纳米制程NOR Flash。

国内也百花争鸣


曾经NOR Flash由于容量小、成本高等缺点,一度被存储大厂边缘化,但是由于5G、IOT、AMOLED和智能汽车等下游市场的快速发展,再次受到厂商的重视。提到NOR Flash大家首先想到的国内排名第一的兆易创新,但除了兆易创新之外,还有许多中小厂商在这个领域“摸爬滚打”,瓜分剩余10%的NOR Flash市场份额。NOR Flash属于利基存储,市场竞争和技术门槛较低,是新入者切入存储领域的最佳选择。

作为电子系统的粮仓,存储芯片的重要性可以用一句话形容“以行军打仗作比喻,发展存储芯片可谓是兵马未动粮草先行”。因此,由于存储芯片的重要性和广阔的市场空间吸引了一大波国内中小厂商的聚集,在NOR Flash领域,除了兆易创新之外,还有很多国内中小厂商也在暗暗发力,瓜分NOR Flash剩余的10%份额。


NOR FLASH的未来


每种半导体技术都将有一天到达终点。而NOR Flash正面临性能扩展的瓶颈,并逐渐被更多的SLC NAND和新兴存储应用所取代。不过,业界专家认为,NOR Flash并不会完全消失,但必须转而寻求其它应用需求…嵌入式NOR仍然可行,但是在扩展技术方面存在挑战。

UMC业务管理副总裁Walter Ng表示,嵌入式NOR闪存的主流市场为40nm及以上,尽管该行业已开始朝着更小的几何尺寸迁移。Ng说:“开发方面的重点是28nm。”

在嵌入式NOR继续获得收益的同时,业界正在开发几种下一代存储器类型,许多新的存储器目标是取代传统的嵌入式NOR。“诸如MRAM之类的新兴存储器很有希望,它们可以启用新的应用程序;然而,与传统的嵌入式闪存相比,新兴存储器可以大大降低总体成本,还有很长的路要走。” Microchip的Tiwari说。“掩模数量不是比较非易失性存储器成本的有效方法。”

但是,嵌入式MRAM越来越受欢迎。例如,GlobalFoundries和Everspin正在为GlobalFoundries的22nm FD-SOI平台开发嵌入式MRAM技术。GlobalFoundries计划将MRAM替换为嵌入式NOR,以实现紧密的流程-包括finFET在内的所有流程。

此外,三星还在其28nm工艺中制造了嵌入式8Mbit STT-MRAM。该设备证明了用于物联网应用的eMRAM商业化的可行性。

另一种技术ReRAM也开始涌现,甚至准备即将离开实验室研发阶段。ReRAM在嵌入式领域具有显着优势,例如在速度和低功耗方面。松下是第一个将ReRAM技术商业化的公司。2013年7月,松下推出了8位MCU。该MCU集成了0.18微米ReRAM技术。

此外,松下和联电在2018年5月举行的国际存储器研讨会(IMW)上共同宣布了ReRAM(嵌入式ReRAM)的开发状态。并展示了具有8 Mbit(1 MB)存储容量的嵌入式ReRAM宏的原型。他还表示,该产品正在开发中,将于2019年实现商业化。但如今松下已将其半导体业务部门剥离,具体进展尚不清楚。不过早在2017年,中芯国际已正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。

综上,新兴存储技术的发展尚需时日,如今NOR Flash仍然是嵌入式领域的“香饽饽”。


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