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DRAM蚕食CIS产能

2020-05-27
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来源:内容编译自「businesskorea」,谢谢。


在供需平衡的情况下,今年第三季度存储器合同价格应与前一季度持平。数据中心投资在1H20因居家需求增加而激增,但在2H20可能会放缓。移动需求急剧下降,可能会在2H20反弹。事实证明,产能增长相对有限的NAND部门将比DRAM行业享有更有利的供需条件。
 

DRAM到CIS的产能过渡将继续



我们预计20Q3的DRAM和NAND合同价格将按季持平,供求将保持平衡。今年第三季度,全球DRAM和NAND出货量将分别环比增长3%和6%。三星电子正在降低DRAM 13号产线用于CMOS图像传感器(CIS)转换的产能。为了弥补不断缩小的DRAM产能,该公司的平泽1号线和2号产线将增加30K wpm的DRAM产能。三星电子正在将1xnm制程工艺部分减少至不到40%,并增加1ynm和1znm的产能。到2020年底,按晶圆数量计算,1znm的比例应达到10%以上。
 
SK海力士也在缩减其M10 DRAM线转CIS产能,此外,SK海力士还将无锡C2F产能提高了30k wpm。我们预计,SK海力士到年底将把1ynm工艺的比例提高到30%以上。美光公司低迷的1znm产量预计将在今年第三季度恢复正常。目前,Micron Memory Taiwan的1xnm份额已提高到近100%,该公司将在2H20开始过渡到1znm。目前,中国的CXMT正在批量生产DRAM,计划到2020年底开始批量生产更先进制程的产品。但是,由于CXMT的DRAM容量不足40k wpm,且产量较低,因此对DRAM总体供求的影响较小。

NAND产能扩展最小



在几乎没有产能扩展的情况下,NAND供需条件应该比DRAM更好。预计行业库存水平仅为两周,三星电子和SK海力士一直在降低2D NAND产量。为了确保盈利能力,SK海力士并未计划在2020年增加任何NAND产能。并且,为了满足当前SSD需求的上涨,Western Digital和Kioxia将重点放在96层工艺(更高的成品率)而不是112层工艺上,并使新的K1晶圆厂的生产水平保持相对不变。
 
美光科技没有扩大1H20的产能,而是专注于向替代制程工艺的过渡。英特尔也没有计划在2020年进行NAND产能扩展。英特尔的战略是将其产品切换到96层工艺,并增加QLC产品的份额。英特尔的144层产品样品定于2H20发布。
 

2H20展望:预计服务器需求放缓,移动需求改善


在1H20,由于Covid-19,非面对面活动的增加,数据中心投资得到了扩大。因此,今年第二季度服务器DRAM价格环比上涨20%。在2H20,由于1H20投资激增之后的调整,数据中心投资应有所减少。我们注意到,谷歌和英特尔的首席执行官都对数据中心投资预期减少2H20发表了评论。特别令人担忧的是,由于美国政府的芯片法规,TikTok(由于最近视频流量的激增而成为主要的服务器内存消费者)预计将在短期内减少投资。
 
移动需求(包括智能手机)在1H20一直非常低迷,但在2H20应该有所改善。目前,中国受Covid-19的影响越来越小,但中国似乎急于发展5G基础设施以促进经济发展。迄今为止,华为已在中国完成了200,000个5G基站的部署,计划在2H20新建60万个基站。中国4月份智能手机出货量同比增长17%至4078万台,与3月份同比下降22%相比,显着反弹。
 
同样有利的是,现在对iPhone 12的销售(从9月开始销售)的预测也在上升。我们估计2020年iPhone 12销量为6800万台(同比2019年iPhone 11增长12%)。具竞争力的价格,设计更新,120Hz显示屏以及LiDAR的推出都可能有助于iPhone 12的良好销售。最近,iPhone AP制造商台积电从苹果公司获得了另一笔AP订单。看来2H20移动需求的增长可能会抵消数据中心需求的放缓。


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