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ON Semiconductor 安森美

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ADAS应用方案:具竞争优势的摄像机和雷达系统拓扑及推荐器件

2019-06-04
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相较汽车其他细分市场,先进驾驶辅助系统(ADAS)有最高的增长潜力,复合年增率为17%(2019-2023年)。在当今的车辆中,ADAS系统对于保护车辆乘员和防止事故至关重要。随着自动化水平的提高,ADAS系统对于促进自动驾驶很重要,在2019年至2023年间,车辆中的电子含量将增加一倍以上。车辆功能如驾驶员监控、行人和物体检测、远程信息处理、转向、V2X通信和自适应巡航控制,是实现放手操作所必需的,同时确保车辆乘员和环境安全。因此,使用雷达、激光雷达(LIDAR)、摄像机、天线和中央计算单元的系统将在车辆中激增。



由于用车量增加,所以需要安全、可靠和最高质量的系统提高自动驾驶水平。电源能效、设计成本、空间、温度性能和数据完整性是ADAS设计技术中最重要的参数。安森美半导体提供方案解决这些设计挑战,以实现在严酷车辆环境下的最佳性能。



图1和图2所示是具竞争性的摄像机和雷达系统拓扑及推荐的器件型号,可优化系统性能。


【图1:图像传感器框图】


【图2:雷达SoC框图】


安森美半导体提供低压降稳压器(LDO)、系统单芯片(SoC)和对噪声敏感的RF电路。LDO采用小尺寸、小占位的可润湿侧翼封装,具备超低噪声能力,和为图像传感器输入生成稳定电源轨所需的领先行业的高电源抑制比(PSRR)。虽然电源能效很高,但DC-DC转换器产生的输出纹波会降低系统性能,对摄像系统中的图像质量产生显著影响。LDO稳压器的低压降和静态电流特性转化为低功耗,结温最高达150 °C。安森美半导体推荐NCV8163、NCV8177、NCV59744、NCV59748、NCV8165。


EEPROM极其适用于存储校准参数、故障代码和微调数据等安全至关重要的应用,采用SOIC-8、TSSOP-8封装的工作温度高达150°C,采用可润湿侧翼封装可节省空间。汽车0级器件具有400万次读/写周期的高耐久性、达200年的数据保留期和纠错码能力。对于功耗非常关键的应用,可采用低Vcc(1.7 V)汽车1级器件。安森美半导体推荐NV25640、NV24C64LV、NV25640LV。

 

ESD和EMI保护器件是保持ADAS应用中信号数据完整性的具性价比的方案,通过提供低电容方案以实现高速数据传输和减少器件数,采用共模滤波能钳位30Kv瞬态信号。安森美半导体推荐SZNUP2128、SZESD7551、SZEMI8133。


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NSVT1418L:低饱和电压VCE(sat)的单PNP型双极晶体管

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  • 针对高损耗的高边开关应用

  • 高速开关和低VCE(sat)提升能效

  • 大电流电容

  • 符合AEC-Q101车规、PPAP标准

  • 目标应用如汽车电子控制单元(ECU)、汽车信息娱乐和远程信息处理系统等

 

NFVA3x065L32:智能功率模块

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  • 在175°C下抗短路能力的场截止沟槽IGBT,具备稳定的EMI性能

  • 采用AIN/AI2O3覆铜(DBC)基板

  • 采用27引脚DIP封装

  • 符合AEC-Q100/1和AQG324

  • 主要用于汽车高压辅助电机如气候控制电动压缩机、高压油/水泵、高压涡轮增压器、高压风机等


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  • 650 V/40 A,采用TO-247-3LD封装

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  • 高浪涌电流能力

  • 正温度系数

  • 易于并联

  • 无反向或正向恢复

  • 符合AEC-Q101车规、PPAP标准

  • 目标应用:电动/混动汽车(EV/HEV)车载充电机或DC-DC转换器


PCGLA200T75NF8:第4代场截止沟槽IGBT裸芯

  • 汽车级,750 V/200 A

  • 最大结温175°C

  • 低压降:Vcesat典型值=1.45V

  • 正温度系数,易于并联:开关损耗低

  • 在175°C能承受4μs短路

  • 增强的可靠性,包括能承受175°C的高温反向偏置(HTRB)

  • 经证实极佳的抗闩锁能力

  • 高电流DC-AC晶圆级筛选

  • 目标应用:EV/HEV牵引模块、通用电源模块


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