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ON Semiconductor 安森美

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碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管及其它功率器件热门新品

2019-08-13
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安森美半导体提供宽广阵容的650 V和1200 V  SiC二极管,适用于大功率应用如太阳能逆变器、电动汽车充电桩、不间断电源(UPS)和电信/服务器电源等。这些器件采用我们专利的终端结构,使结温达175 ºC。安森美半导体在该市场的差异化因素包括卓越的可靠性、广泛的产品阵容和成本竞争力,同时仍提供标准宽禁带的优势。产品路线图的重点是不断增加功率密度(减小占位),降低功耗,提高能效和逐步提升相对于现有硅方案的性价比。


最近针对汽车和工业市场推出的1.5代650V SiC二极管比1.0代系列降低了30%的裸片厚度,从而降低正向压降和改善导通损耗。此外,安森美半导体开始推出1700 V SiC二极管。


H3TRB测试(高温/湿度/偏置电压),85C/85% RH/85% V(960 V),JEDEC规格是100 V。


从左到右依次为:竞争对手SiC器件1 (168小时后腐蚀失效)、竞争对手SiC器件2 (168小时后腐蚀失效)、安森美半导体SiC器件 (1000小时后未失效)。


安森美半导体的SiC具有专利的终端结构,提供出色的强固性,适用于严苛的环境条件。


热门新品


  • NDSH25170A:1700V SiC二极管

无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能使SiC成为下一代功率半导体。

特性:
  • 最高结温175 ºC

  • 额定雪崩能量400 mJ

  • 高浪涌电流

  • 无反向恢复电流/无正向恢复

  • 符合AEC-Q101和PPAP


应用:
开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、UPS、功率开关电路等。
 
  • NXH100B120H3Q0PG:功率集成模块(PIM)

在一个封装中集成两个50A/1200VIGBT的双升压级、两个20A/1200V SiC二极管和两个25A/1600V反并联二极管,采用安森美半导体的Q0封装。

应用:
太阳能逆变器、储能系统。
 
  • FOD8480:光耦隔离型智能功率模块(IPM)驱动器

用SO-6封装,满足>8 mm爬电距离和电气间隙要求。具有30V信号摆幅的非逆变逻辑功能。与竞争对手提供的双极型器件相比,PMOS/NMOS晶体管最大限度地降低压降。

应用:
隔离IPM、隔离工业通信接口。
 
  • NFAM5065L4B:IPM SPM31,650V,50A

最新的第4代场截止IGBT提供低开关损耗,DBC基板提供高散热性。此系列与竞争对手的Mini DIP封装引脚兼容。

应用:
用于交流感应、无刷直流和永磁同步电机的逆变器,终端产品如工厂自动化、商用空调、暖通空调(HVAC)、机器人。


请点击阅读原文,了解更多。

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