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实至名归 | TI旗下两款芯片分别荣获2021年TOP10 POWER电源产品奖和优化开发奖

最新更新时间:2021-10-08
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近日,德州仪器旗下LM25149LMG3525R030-Q1两款芯片分别获得由 21ic 电子网评选颁发的 2021 年度(第十九届)TOP10 Power 产品奖和优化开发奖。


TOP10 Power 电源产品奖是由 21ic 主导策划的,至今已经成功举办了 18 年。今年,经过全网数千次的工程师投票和 21ic 编辑紧张的审评,2021 年度第十九届 Top10 Power 电源产品奖结果出炉。


TOP10 Power 产品奖是备受中国电源行业内认同的行业基准之一,综合自技术、应用、设计、创新、能效比多项技术指标严格评选得出。该奖项的参选范围包括所有电源类产品,获得该殊荣则代表着该产品在本年度具有极高的产品力和技术创新。


优化开发奖则更趋向于工程师开发,获得该殊荣代表着该产品具有完备开发套件,易于工程师迅速掌握进行二次开发。

▍LM25149:首款具有集成式有源EMI滤波器的先进直流/直流控制器

LM25149 同步直流/直流降压控制器是业界具有集成式有源 EMI 滤波器的先进直流/直流控制器,支持工程师实现超小的低 EMI 电源设计。设计人员可以使用该器件来减小工业和汽车电子产品中电源的尺寸并降低 EMI。


通过集成式有源 EMI 滤波器,LM25149 使工程师能够满足 EMI 标准,同时提高设计的功率密度。工程师可将外部 EMI 滤波器的面积减半,将电源设计中多个频带上的传导EMI 降低多达 55dBµV,或者同时缩减滤波器尺寸和降低 EMI。


在开关电源设计中,实现低 EMI 电源和小尺寸解决方案通常是相互矛盾的。但是,LM25149 支持工程师满足具有挑战性的 EMI 标准,并通过减小无源 EMI 滤波器的面积和体积来缩减解决方案尺寸。


与同类竞争解决方案相比,在 440kHz 频率下,工程师最多可以将前端 EMI 滤波器的面积和体积分别缩减近 50% 和 75% 以上。通过减小无源元件的滤波负载,集成式有源 EMI 滤波器可减小无源元件的尺寸、体积和成本,从而使工程师实现尺寸更小、EMI 更低的电源设计。


LM25149 控制器通过实现交错式双相操作以及集成自举二极管、环路补偿输出电压反馈元件,进一步提高了功率密度,进而降低设计复杂度和成本。工程师还可以利用外部反馈和环路补偿进一步优化其设计。

专家点评

评委组认为:“近年来,电源管理 IC 企业除了让功率密度越做越高,EMI 也是厂商关注的焦点。LM25149 远低于同类竞品的 EMI 滤波器面积和体积,为工业和汽车电子产品带来更多设计可能性。作为首款具有集成式有源 EMI 滤波器的先进直流/直流控制器,其在各项指标上都颇具优势,该项产品才得以脱颖而出。”


▍LMG3525R030-Q1:首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET

全新的 LMG3525R030-Q1 是业界首款具有集成驱动器、保护主动电源管理功能的先进汽车 GaN FET。在高电压、高密度应用中,更大限度地减小布板空间是一个重要的设计考量因素。随着电子系统越来越小,其中的各种元件也必须缩减尺寸和间距。


TI 的新型 GaN FET 集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能,使工程师能够在实现高性能的同时减小电源管理设计的布板空间。


这种集成加上 TI GaN 技术的高功率密度,使工程师不再需要分立式解决方案中通常所需的 10 多个元件。此外,当应用于半桥配置时,每个全新的 30mΩ FET 都可以支持高达 4kW 的功率转换。


新型 GaN FET 采用 TI 的理想二极管模式来降低功耗。例如,在功率因数校正(PFC)中,与分立式 GaN 和 SiC 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,理想二极管模式可将第三象限损耗降低多达 66%


理想二极管模式还消除了对自适应死区时间控制的需要,从而降低了固件复杂性和开发时间。TI GaN FET 封装的热阻抗比同类封装产品低 23%,因此,工程师能够使用更小的散热器,同时简化热设计。

专家点评

评委组认为:“GaN 在近几年发展迅猛,由于 TI 在 GaN 技术的多年耕耘,才使得 LMG3525R030-Q1 产品能够兼具高性能和更小的布板空间。另外,理想二极管模式大大降低了固件复杂性和开发时间。加上 TI 为工程师提供完备的设计资源和设计服务,该项产品才得以在优化开发方面脱颖而出。”

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