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最新NexFET™ N沟道功率MOSFET 实现业界最低电阻

最新更新时间:2021-08-31 05:05
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日前,TI推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界最低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84%的极低电阻

CSD16570Q5B
CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率,同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如:25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大导通电阻,而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的最大导通电阻。


TI 的新型 CSD17573Q5BCSD17577Q5A可与面向DC/DC控制器应用的LM27403配合使用,从而构成一套完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET则可与诸如TPS24720TI热插拔控制器配套使用。


如下是TI 推出具有业界最低导通电阻的NexFET™ N沟道功率MOSFE及主要特点


关于 TI NexFET 功率 MOSFET

TI NexFET 功率 MOSFET提升了高功率计算、网络、工业和电源应用中的能量效率。此类高频、高效率的模拟功率 MOSFET 使得系统设计人员能够运用现有的最先进的DC/DC电源转换解决方案。


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