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murata村田

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村田支持100GHz+的表面封装硅电容器

2018-12-26
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XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为DC阻塞、耦合、旁路接地用途设计的。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),实现低插入损耗、低反射、高相位稳定性。(支持的频率范围,最低为16kHz,XBSC最高为100+GHz,UBSC最高为60+GHz,BBSC最高为40GHz,ULSC最高为20GHz)这里所使用的深槽硅电容器,是应用半导体的MOS工艺开发的。表现极高的可靠性,对于电压和温度的高静电容量稳定性(0.1%/V,60 ppm/K)。


此外,硅电容器实现了-55℃ to 150℃的广泛工作温度范围。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,能够完全控制,确保高度的可靠性和再现性。XBSC/UBSC/BBSC/ULSC系列,以标准的JEDEC组装规则为准,可以顺利支持高速的自动抓放生产工艺。此外,这些电容器符合RoHS标准,可以根据外壳尺寸提供ENIG(镍、金)电极或无铅预凸块。


特点


  1. 最大110GHz的超宽带性能

  2. 没有共振,可以进行出色的群延迟变化

  3. 在传输模式下,凭借出色的抗阻匹配,实现极低的插入损耗

  4. 在旁路接地模式下,ESL和ESR很低

  5. 对于温度、电压、老化,静电容量值的稳定性很高

  6. 高可靠性

  7. 可以进行无铅回流封装 

(详情见本公司的封装应用说明)


用途


  1. 光电产品/高速数据

  2. 跨阻放大器(TIA)

  3. 光收发组件(ROSA/TOSA)

  4. 同步光纤网络(SONET)

  5. 高速数字逻辑

  6. 宽带测试装置

  7. 宽带微波/毫米波

  8. X7R与NP0电容器的置换

  9. 薄型用途(400或100μm)


XBSC / UBSC / BBSC / ULSC 系列规格


(*) 示例:10nF/0201M/BV 11V
(*2) 也能根据客户要求支持其他的规格值
(*3) 包装材料除外
(*4) 示例:5.6nF/0201M/BV 30V
(*5) 示例:10nF/0201/BV 30V
(*6) 示例:100nF/0402/BV 11V


系列一览


(*) 仅限于无铅的凸块产品


(*) 仅限于无铅的凸块产品


(*) 仅限于无铅的凸块产品


关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。


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