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村田最高工作温度250℃的引线键合用上下电极硅电容器

2018-12-28
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村田的WBSC/WTSC/WXSC系列,是特地为最高工作温度250℃(WXSC)的重视可靠性的用途而生产的,适用于DC去耦。依靠村田的半导体(硅)技术开发的独特的集成无源器件和设备(Integrated Passive Devices),可以解决此类需要高可靠性的用途的各种问题。利用半导体工艺,开发极深沟槽结构的硅电容器,静电容量密度高达6nF/mm2 to 250nF/mm2(支持的击穿电压为150V to 11V)。


本公司的半导体(硅)技术,依靠可以生成超过900℃的高温退火的高纯度氧化膜,完全控制的生产工艺,与其他的电容器技术相比,可靠性最高达到后者的10倍。依靠这项技术,使电容器的稳定性位居行业榜首(WXSC的最高工作温度为250℃,WTSC为200℃,WBSC为150℃,温度系数为+60ppm/K)。并且,因为硅在本质上电介质吸收很小,压电效应也很小,或者几乎没有,所以也没有存储效应。以硅为基础的技术符合RoHS标准。


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特点
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  1. 薄型250μm

  2. 低漏电流

  3. 高稳定性(温度、电压)

  4. 老化后静电容量也极少下降。

  5. 支持标准的引线键合封装(球和楔) 

(详情见本公司的封装应用说明)


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用途
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  1. 雷达、航空航天、基础设施无线通信、数据播放、汽车等要求严格的用途

  2. 焊盘完全平坦,因此标准的引线键合(球和楔)比MLCC容易

  3. 去耦、DC噪声、高次谐波滤除、匹配电路(例如GaN功率放大器、LDMOS)

  4. 高可靠性用途

  5. 小型化

  6. 要求薄型的用途(250μm)

WBSC/WTSC/WXSC系列规格

(*) 也能根据客户要求提供其他的规格值 (*2) 包装材料除外 (*3) 引线键合、嵌入


系列一览

关于其他的规格值,请向本公司销售人员咨询。


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