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东芝为电路设计开发出新型紧凑模型

2008-06-23来源: 电子工程世界 梁朝斌 编译关键字:紧凑  模型  门密度  纳米  晶体管  特性

  日本的东芝公司宣布已经为电路设计开发了一项新的紧凑模型,从而可以实现45纳米CMOS工艺中更高的门密度。

  东芝称通过这项技术,45纳米CMOS的门密度可以提升到65纳米的2.6倍。

  东芝称其已经开发出一项技术,通过观察电路设计所依赖的因素,能够分别预测每个晶体管的性能。

  其新技术可以估算每个晶体管的特性参数并将之转化到电路设计中,结果就是:东芝得到了更高的门密度却没有增加设计中不稳定的可能。

  这项最新的技术是在6月18号的2008年 VLSL(超大规模集成电路)技术讨论大会上公布的。

关键字:紧凑  模型  门密度  纳米  晶体管  特性

编辑:汤宏琳 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/newproducts/eda/200806/article_18095.html
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