东芝与SanDisk发表43nm 16Gbit 闪存

2007-12-25来源: 电子工程世界关键字:栅极  绝缘  材料  单元

在12月10~12日的2007 IEDM上,东芝和Sandisk发表了基于43nm工艺的多值16Gbit闪存,该芯片面积为120平方毫米,可以封装在超小型存储卡“microSK ”内。会议上的演讲题目为“A 120mm2 16Gb 4-MLC NAND Flash Memory with 43nm CMOS Technology”。

通过将存储单元的控制栅极和浮游栅极间的绝缘膜厚度减到不足13nm,实现了多值记忆和高速写入。此外,由于字线采用钴矽化物材料、位线采用铜材料,从而减小了行解码器和位线控制电路的面积。

关键字:栅极  绝缘  材料  单元

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