英飞凌TRENCHSTOP IGBT7技术,可有效降低静态损耗

2020-09-29来源: EEWORLD关键字:英飞凌  TRENCHSTOP

继推出采用EconoDUAL™3和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之后,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日又推出业界领先的、基于分立式封装,即采用电压为650 V的TO-247封装的TRENCHSTOP IGBT7技术。全新TRENCHSTOP产品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A这些电流等级组成。它既能用于取代前代技术,也能与前代技术并行使用。该版本的IGBT7尤其适用于工业电机驱动、功率因数校正、光伏发电和不间断电源等应用。

 

由于采用新型微沟槽技术,TRENCHSTOP IGBT7芯片的静态损耗大大降低。在相同的电流等级下,TRENCHSTOP IGBT7芯片的通态电压可以降低10%。这使得应用中的损耗大幅降低,尤其能使通常在中等开关频率下运行的工业驱动的损耗大大降低。IGBT T7技术的饱和电压(V CE(sat))很低,并带有发射极控制的第七代(EC7)二极管,该二极管的正向压降(V F)可减小150 mV,同时还能提高反向恢复软度。

 

TRENCHSTOP IGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。650V TRENCHSTOP IGBT7拥有应用所需的抗短路能力。此外,它还通过了基于JEDEC标准的HV-H3TRB(高压高湿高温反偏)试验,证明该器件在常见的工业应用的高湿环境中具有良好的耐用性。

 

供货情况


650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件现已接受订购。


关键字:英飞凌  TRENCHSTOP 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/news/ic511969.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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