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基于硅过孔（TSVs）的3D封装技术
2008-03-16 17:14:56 作者： 来源：电子工程世界 汤宏琳 编译
关键字：设计 互连 延迟 寄生 研发 商业 产业 TSV
下一代IC设计成本的不断上涨以及随之而来的国外制造技术正在对一种叫“硅过孔（TSVs）”的3D封装技术有浓厚的兴趣。代替了调整，芯片可以通过微小过孔集合垂直堆叠和互连，产生“真实”的3维装置。
IBM、Intel、三星和许多其他的公司都正在致力于此技术，并有充分的理由：基于TSV的3维设计避免了芯片调整过程中的即将发生的“互连危机”。随着互连缩小以至于可以塞进IC设计，他们引起了成问题的时间延迟和电气寄生。早期的基于TSV技术的设计有些昂贵，而且最初瞄准航空航天和军事应用。最终，由于成本的降低，真正的3D芯片可以出现在商业系统，包括下一代蜂窝电话和PDA中。
“产业正在经过可行性（研发）阶段，进入了商业化阶段，经济实际情况最终决定了该技术是否被接受，” TechSearch International公司总裁E. Jan Vardaman说。无须眼镜的3D将很快进入你身边的晶圆厂。
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编辑：汤宏琳
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