预计2026年宽禁带半导体将占汽车功率市场的20%

2019-07-18来源: EEWORLD关键字:宽禁带半导体  SiC  GaN

随着混合动力汽车/电动汽车(HEV / EV)平台销量猛增,据Strategy Analytics预测,到2026年,对电力电子元件的需求将占HEV / EV动力系统半导体总成本的55%以上。在 Strategy Analytics日前发布的“HEV-EV半导体技术展望:SiC和GaN将发挥何种作用”的报告中显示,提高车载电子的系统效率需要碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等基础元件,这就为汽车半导体行业未来创造更高的利润率和盈利机会。

硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT),金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和肖特基势垒二极管(SBD)将继续主导电力电子领域,但SiC和GaN已经开始增长,2026年预计将占据汽车功率半导体市场的近20%份额。

“SiC是两种技术中比较成熟的,650V和1200V部件开始与主变频器的硅基元件竞争,并且在DC-DC转换器和OBC(车载充电器)中获得一些订单。”Strategy Analytics全球汽车业务高级副总裁Chris Webber指出。“然而,我们仍然担心材料供应限制以及相关的成本和产量问题可能会减缓SiC的系统实施进程。”他补充说。


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“效率是构建HEV / EV平台功率系统架构的关键,而SiC和GaN技术无疑具有显着的优势。”报告作者Asif Anwar指出。“然而,硅技术仍然有一些改善开关损耗和效率的空间,这可以与封装技术的进步相结合,能够提供全套技术的公司将最有利于利用这种不断增长的电力电子半导体机会。”他相信。

该报告的结论是,宽禁带半导体的电力电子市场仍处于早期阶段,但HEV / EV仍然具有最大的市场增长潜力。

关键字:宽禁带半导体  SiC  GaN 编辑:冀凯 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qcdz/ic468506.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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