datasheet

英国机构研究新型电池冷却技术 降低电池起火风险

2019-08-16来源: 互联网关键字:i-CoBat  M&I  Materials  电池冷却

英国机构研究新型电池冷却技术 降低电池起火风险

(图源:M&I官网)


据外媒报道,英国M&I Materials公司、华威大学制造工程学院(WMG)和Ricardo咨询机构,联手推出i-CoBat项目,旨在开发和演示新型电动汽车电池冷却技术,采用M&I Materials公司的可降解介质冷却液MIVOLT,测试浸入式冷却电池组概念。


随着汽车产业向电气化转型,电动汽车使用的高容量电池,面临热管理的重大挑战。电池的工作温度范围较窄,一旦超出限定温度,电池的性能和效率就会下降,并且加速老化。在极端情况下,超过运行上限可能引起电池热失控,发生灾难性故障,并有可能引发火灾。


快速充电时,电池产生的热量是正常驾驶和充电时的三倍。目前,电动汽车电池组通常使用风冷却,或者利用水/乙二醇进行冷板冷却或者使用制冷剂。采用这些热管理系统,会限制充电速度和快充次数。为了提升行驶里程,一个可能办法是增加电池组尺寸,但是,这将显著增加成本。


i-CoBat项目由M&I Materials公司牵头,是英国政府法拉第电池挑战赛的一部分,该赛事鼓励开发最新的电动汽车电池技术。在i-CoBat项目中,研究人员采用M&I Materials公司的可降解介质冷却液MIVOLT,其化学性质可使其成为介质冷却剂,直接将热量从电芯表面移走。这是因为MIVOLT介质液体不导电,可直接与电池组接触。采用MIVOLT进行液体浸入式冷却,可以从热源开始进行热传导,不需要二次间接冷却系统,从而提供更简单的热管理解决方案。


这一创新有望提高功率输出和电池寿命,加快充电速度,同时降低成本,有效解决里程焦虑问题。华威大学制造工程学院先进驱动系统教授David Greenwood表示:“这不仅仅是保持电池冷却的问题,而且可以优化操作温度。”


关键字:i-CoBat  M&I  Materials  电池冷却

编辑:鲁迪 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qcdz/ic471454.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:瑞萨电子新型锂电池管理IC提升电池寿命
下一篇:最后一页

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

Sanborn推出下一代高精地图技术 将应用于L4和L5自动驾驶汽车

据外媒报道,当地时间8月13日,地图公司Sanborn宣布推出下一代高精地图(HD Map)技术 - M-Maps™,而且该技术将应用于L4和L5自动驾驶汽车。该公司总裁兼首席执行官John Copple表示:“Sanborn将继续致力于通过创造新型可扩展技术,帮助客户取得更加成功的结果。Sanborn的M-Maps™技术专为自动驾驶汽车市场而研发,可以提供绝对精确的数据集,为客户提高安全和操作能力,让他们能够在实现自动驾驶汽车方面实现飞跃。”(图片来源:Sanborn官网)基于2015年开始的研发,Sanborn于2018年为美国市场推出了名为“M-Map™”的高精地图产品线,而且一直在为各种客户提供其首款解决方案。新款
发表于 2019-08-15
Sanborn推出下一代高精地图技术 将应用于L4和L5自动驾驶汽车

STM32CubeMX GPIO模拟I2C读写M24C64

一、先了解一下硬件的连接,I2C_SDA和I2C_SCL分别接STM32的PB9、PB6二、粗阅一下M24C64的数据手册,得知器件地址和存储器地址,器件地址是8bit,而存储器地址是16bit三、下面是M24C64的写时序四、下面是M24C64的读时序五、下面是程序编写流程六、看看时序参数七、好啦!需要的知识点差不多都提到了开始搬砖1、用STM32CubeMX配置生成工程,并打开工程。(具体怎么用这个软件这里不讲)2、在我的工程里是这样配置的《1》配置USART3,用打印读出来的数据与写入的是否一致《2》配置PB6、PB9为开漏输出模式,配置如下:void MX_GPIO_Init(void) {  
发表于 2019-08-14
STM32CubeMX GPIO模拟I2C读写M24C64

stm32f105使用12M外部晶振

cl:互联型产品,stm32f105/107系列vl:超值型产品,stm32f100系列xl:超高密度产品,stm32f101/103系列ld:低密度产品,FLASH小于64Kmd:中等密度产品,FLASH=64 or 128hd:高密度产品,FLASH大于128STM32F105和107是互联型产品。在system_stm32f10x.c中他们的晶振默认是25M的。为什么是25M呢?我猜可能是因为网络PHY的关系,以太网需要100M的时钟频率。使用25M的晶振方便网络时钟的生成。25M晶振换12M晶振需要更改库文件的两个地方stm32f10x.h#if !defined  HSE_VALUE #ifdef
发表于 2019-08-07

联发科官方科普NSA与SA意在为M70宣传造势!

中国已经发放了5G牌照,意味着中国将正式进入5G时代,与之而来的是关于5G网络NSA与SA的争论,很多人不知道两者的区别,于是乎联发科官方出来科普了。首先是NSA,联发科称NSA模式是基于现有4G基站和架构进行网络部署升级,4G/5G共用核心网,优势是部署成本低、速度快,能让5G快速实现商用,适用于5G商用初期。接下来是SA,联发科认为SA模式是5G建设的最终目标,需要全新的基站、核心网和一系列5G独有技术,部署成本高、周期长,适用于5G商用成熟期。联发科出来科普的目的还有一个私心就是为了给自家的Helio M70芯片宣传造势。据悉,联发科的Helio M70是目前唯一具有LTE和5G双连接(EN-DC)的5G调制解调器,支持
发表于 2019-08-01

MDK5新建stm32l0xx(Cortex-M0)工程步骤

目前,网络上关于stm32l0xx系列mcu的资料比较少,l0低功耗系列普遍应用了st公司新出的HAL库,由于没有中文资料,并且HAL库与原来的标准库有一些区别,因此开发起来有一定的难度。本文先从最基本的新建工程入手,后续将陆续记录关于stm32l051c8x的一些应用过程,记录开发过程中遇到的一些问题、思考及心得,以期在做导师项目的过程中最大限度的增添一些乐趣。给做项目的过程增加一点乐趣。新手记录,错误难免,也欢迎高手批评指正第一步:ST官网下载固件库文件首先从官网下载固件库文件包,顺便可以把datasheet等一并下载。文件包名称:en.stm32cubel0,drivers文件夹中,包含有Low Layer (LL) 和har
发表于 2019-07-30
MDK5新建stm32l0xx(Cortex-M0)工程步骤

基于Cortex M0+的STM32L053xx学习资料介绍

因为Cortex M0+架构比较新,国内开发板比较少,感觉论坛上资料也不是很多。国内主要是M3内核的开发板比较多。对于初学者来说,又不太清楚Cortex M0+与M3之间的区别,M0+满是英文资料,看起来很痛苦。 经过一段时间的学习,总算摸清楚了学习stm32需要哪些资料。以我所使用的stm32L053C8的discovery开发板为例。       1.板级的资料 User manual主要描述这个开发板User manual有哪些接口,板级的器件,跳帽的使用方法等。对应我的开发板的话,文件名为UM1775User manual:Discovery kit for STM32L0
发表于 2019-07-30

小广播

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2019 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved