Nexperia推出大功率GaN晶体管 适用于电动汽车功率半导体

2019-12-13来源: 盖世汽车 关键字:Nexperia  GaN  晶体管

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(图源:Nexperia官网)


据外媒报道,功率和分立器件专家Nexperia采用硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)技术,推出第一款大功率GaN场效应晶体管。


Nexperia公司MOS分立式器件业务集团总经理Toni Versluijs表示:“Nexperia准备进军高压领域,因此推出这一战略举措。现在,我们能够提供适用于电动汽车(xEV)功率半导体应用的技术。我们的GaN技术已经可以量产,满足大批量应用。汽车行业是Nexperia关注的重点领域,随着电动汽车取代传统内燃机汽车,成为个人和公共交通的首选工具,预计未来20年该行业将显著增长。”


该工艺在大型硅衬底上生成GaN厚外延层,并获得合适的外延性能,因此,可以利用标准的150mm晶圆生产线,进行初级生产,具有批量生产所需的可扩展性,以及成本优势。


650V GAN063-650WSA的栅极电压为±20V,工作温度在-55至+175°C之间。产品特色在于,导通电阻低至60 mΩ,可以减少损耗,支持频率切换,提高电源效率。重要的是,该产品采用业内常用的标准TO-247封装,更便于设计者操作,提升产品性能。


GAN063-650WSA GaN场效应晶体管是Nexperia旗下GaN系列设备首款产品,适用于汽车、通信基础设施和工业领域。


关键字:Nexperia  GaN  晶体管 编辑:鲁迪 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qcdz/ic482817.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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