Nexperia研制出硅基 ESD 防护器件,系统级鲁棒性高达30kV

2020-02-11来源: EEWORLD关键字:Nexperia  硅基  ESD  防护器

分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia,宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件 。

 

image.png


OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽车工业和技术供应商组成的非营利联盟,他们相互协作,鼓励广泛采用基于以太网的网络作为汽车联网应用的标准。其工作包括制定 IEEE 和其他国际标准。Nexperia 是 OPEN Alliance SIG 的技术成员,并且采用硅技术为 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 以太网开发完全合规的 ESD 防护器件。与压敏电阻等竞争技术相比,硅基 ESD 防护器件可提供更高的保护性能等级(系统级鲁棒性高达 30kV)。

 

“由于我们是根据 OPEN Alliance 规范设计新器件,因此 Nexperia ESD 防护解决方案 PESD2ETH100-T 和 PESD2ETH1G-T 可与任何 PHY 配合使用。我们的器件可在高数据速率下提供出色的鲁棒性,而不会像其他技术一样出现降级。”应用营销经理 Jan Preibisch 博士评论道。


关键字:Nexperia  硅基  ESD  防护器 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qcdz/ic487889.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:技术文章—48V分布式电源架构解决汽车电气化难题
下一篇:未来的头灯对角线超出了想象 奥迪使用130万个微镜的新技术

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

外媒:汽车以太网系统可将搭载基于硅兼容ESD保护设备
据外媒报道称,分立和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC的专业供应商Nexperia近日对100BASE-T1和1000BASE-T1汽车以太网系统推出开创性的、基于硅的、符合OPEN Alliance的ESD保护设备。据了解,OPEN(单对以太网)特殊利益集团(SIG)是由汽车工业和技术提供商组成的非营利联盟,这个组织的工作目的在准备IEEE和其他国际标准,它们相互协作以鼓励广泛采用基于以太网的网络作为汽车联网应用程序的标准。Nexperia是OPEN Alliance SIG的技术成员并且已经基于100BASE-T1和1000BASE-T1以太网的硅技术开发完全兼容的ESD保护设备。与压敏电阻等竞争技术相比,基于硅的ESD
发表于 2020-02-12
外媒:汽车以太网系统可将搭载基于硅兼容ESD保护设备
Nexperia推出适用于电动汽车的大功率GaN晶体管
  据外媒报道,功率和分立器件专家Nexperia采用硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)技术,推出第一款大功率GaN场效应晶体管。  Nexperia公司MOS分立式器件业务集团总经理Toni Versluijs表示:“Nexperia准备进军高压领域,因此推出这一战略举措。现在,我们能够提供适用于电动汽车(xEV)功率半导体应用的技术。我们的GaN技术已经可以量产,满足大批量应用。汽车行业是Nexperia关注的重点领域,随着电动汽车取代传统内燃机汽车,成为个人和公共交通的首选工具,预计未来20年该行业将显著增长。”  该工艺在大型硅衬底上生成GaN厚外延层,并获得合适的外延性能,因此,可以利用标准的150mm晶圆生产线
发表于 2019-12-16
Nexperia推出适用于电动汽车的大功率GaN晶体管
Nexperia推出大功率GaN晶体管 适用于电动汽车功率半导体
(图源:Nexperia官网)据外媒报道,功率和分立器件专家Nexperia采用硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)技术,推出第一款大功率GaN场效应晶体管。Nexperia公司MOS分立式器件业务集团总经理Toni Versluijs表示:“Nexperia准备进军高压领域,因此推出这一战略举措。现在,我们能够提供适用于电动汽车(xEV)功率半导体应用的技术。我们的GaN技术已经可以量产,满足大批量应用。汽车行业是Nexperia关注的重点领域,随着电动汽车取代传统内燃机汽车,成为个人和公共交通的首选工具,预计未来20年该行业将显著增长。”该工艺在大型硅衬底上生成GaN厚外延层,并获得合适的外延性能,因此,可以利用标准的
发表于 2019-12-13
Nexperia推出大功率GaN晶体管 适用于电动汽车功率半导体
Nexperia推出全新高质量、高可靠性功率汽车双极晶体管
总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管(符合 AEC-Q101 标准以及消费者/工业标准)。该款产品组合包括8款同时支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。 这些符合行业标准尺寸的通用元件如今补充了 Nexperia 现有的高性能双极功率晶体管产品系列,从而进一步丰富了本公司的功率双极半导体系列。应用场景有:LED 汽车照明;LCD 显示器背光源调光;现行电压调节器;继电器替代产品;电机驱动系统;激光打印机和 MOSFET 驱动器。 Nexperia
发表于 2019-12-02
Nexperia推出全新高质量、高可靠性功率汽车双极晶体管
Nexperia 推出高性能高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)
分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。 Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperia硅基氮化镓采用非常可靠耐用的工艺,是质量和可靠性久经考验的成熟技术。再加上其可以使用现有的硅晶圆加工设备,因此晶圆加工产能
发表于 2019-11-22
Nexperia 推出高性能高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)
如何消除汽车应用中的ESD威胁
目前市场上的多数硅ESD保护解决方案都是面向消费级电子器件设计的,但是ESD威胁也会使汽车电子器件设计师夜不成寐。令汽车电子设计师深感忧虑的不仅是“正常”的ESD状况,其他汽车特定事件也是让人寝食难安的一个重要原因,例如电池短路(STB)情况。在装配、维修或消费者在车内使用这些器件的过程中,都有可能发生汽车电池短路事件。在装配和维修过程中,断开或裸露的电池线有可能连接到任何接口,结果可能会损坏ESD保护器件。消费者使用过程中发生的电池短路事件的典型例子是,USB电缆掉进车载点烟器插座,把电池线电压带进接口线。汽车环境中存在12V电池网络,这本身就会对车载ESD保护器件造成额外的负担,因为这些器件需要应对有人有意或无意用电池线短接
发表于 2019-11-20
如何消除汽车应用中的ESD威胁
小广播
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved