Nexperia第二代动力氮化镓场效应晶体管使电动汽车更高效

2020-09-22来源: 互联网关键字:Nexperia  GaN  FET

据外媒报道,Farnell将把Nexperia的第二代动力氮化镓场效应晶体管(GaN FET)推向市场。这类晶体管体积小,密度和效率较高,可以降低开发高效系统的成本,并具有改变电动汽车动力性能的潜力。


GaN FET,Nexperia公司,电力转换,场效应晶体管,电动汽车动力性能

eenews


随着立法越来越严格,对减少C02排放的呼声愈发强烈,这些创新GaN FET给设计师们带来了便利,推动向更有效的电力转换转变,并提高电气化水平。


GaN技术克服现有技术的许多局限,如硅基IGBT和SiC,直接或间接提高整个功率转换应用的性能。在电动汽车中,GaN技术可直接减少电力损耗,避免影响车辆的续航里程。功率转换效率更高,也可以减少对散热系统的需求,帮助车辆减轻重量,降低系统复杂性,使运行里程更长,或在相同的里程内使用更小的电池。Power GaN FET也适用于数据中心、电信基础设施和工业应用。


GaN FET可在不同系统中提供优异的性能,比如硬开关AC-DC图腾柱PFC应用,全桥LLC移相(谐振或固定频率)软开关应用,所有DC-AC逆变器拓扑和使用双向开关的AC-AC矩阵变换器等。


主要优点包括:


简单的栅极驱动,低导通电阻RDS(on),快速开关;


优质体二极管(低正向电压降Vf),反向恢复电荷低;


高强度;


低动态导通电阻;


稳定的开关;


防闸极回跳(Vth ~ 4v)。


关键字:Nexperia  GaN  FET 编辑:鲁迪 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qcdz/ic511182.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:黑莓将为小鹏 P7 构建自动驾驶域控制器 增强安全性
下一篇:何谓L4级自动泊车技术? 聊聊百度AVP技术

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

Nexperia推出全新LED驱动器,DFN封装更省空间
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布新推出一系列LED驱动器,采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封装,能有效节省空间。LED驱动器带可焊性侧面(SWF),可促进实现AOI(自动光学检测)并提高可靠性。这是LED驱动器首次采用这种有益封装。新量产的无引脚的产品加入已经量产的带引脚的产品提供更广的产品组合,新产品与SOT223相比,在具备同等性能的情况下,将PCB空间减少了90%。 新推出的DFN2020D-6 LED驱动器采用NPN和PNP技术,管脚尺寸仅为2x2 mm,外形尺寸为0.65 mm。该器件拥有250 mA的输出电流(NCR32x型号)和75 V的最大电源电压。它们的高热功率
发表于 2020-10-12
<font color='red'>Nexperia</font>推出全新LED驱动器,DFN封装更省空间
Nexperia ESD保护功能共模滤波器,具有更优秀抗干扰保护
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C,这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准,能够轻松通过眼图测试。  Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说:“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是,这需要更优秀的抗干扰保护,尤其是在紧凑的无线应用中,这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求的设计。” 这款高度集成的PCMFxHDMI2BA-C器件具有出色的共模衰减:-19.4 dB
发表于 2020-09-29
Nexperia推出四款全新的车用TrEOS ESD保护器件
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件,这些器件通过了AEC-Q101认证,适用于车规级应用,并且可承受高达175°C的高温。同时,与所有TrEOS器件一样,这些新的车用器件具有很低的电容,可确保高信号完整性,并具有很低的钳位电压和高稳健性,适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护难题。电容低至0.5 pF,钳位电压只有3 V,器件可承受高达10 A 8/20 µs的浪涌
发表于 2020-09-16
<font color='red'>Nexperia</font>推出四款全新的车用TrEOS ESD保护器件
Nexperia全新TrEOS ESD保护器,兼具低钳位电压和高稳健性
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件,这些器件通过了AEC-Q101认证,适用于车规级应用,并且可承受高达175°C的高温。同时,与所有TrEOS器件一样,这些新的车用器件具有很低的电容,可确保高信号完整性,并具有很低的钳位电压和高稳健性,适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护难题。电容低至0.5 pF,钳位电压只有3 V,器件可承受高达10 A 8/20 µs的浪涌和ESD脉冲。这一性能处于
发表于 2020-09-16
<font color='red'>Nexperia</font>全新TrEOS ESD保护器,兼具低钳位电压和高稳健性
Nexperia谈GaN的计划
Dilder Chowdhury在半导体领域工作超过24年,开始他在Nexperia的创新团队,然后转向市场营销,并担任Power GaN技术的架构师。他目前的职位是Power GaN 技术战略营销总监。他的工作涵盖了从器件物理到封装和最终产品的方方面面,Nexperia研究并结合了材料、封装、产品和模块的所有价值。以下是来自Dilder的采访Nexperia是GaN的开拓者,不仅在产品方面,而且在生产方面也是如此。你能告诉我们怎么做到的吗?Dilder Chowdhury:我们的生产首先要确保可靠性;我们是一家专注汽车市场的公司,因此无论我们引进什么新技术,我们都需要保持最高水平的质量,绝不妥协。我们是一家成熟的半导体公司,每年
发表于 2020-08-21
ST:GaN晶体管在未来大有作为
ST发布了市场首个也是唯一的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓(GaN)晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管,而ST决定增加一颗GaN,实现半桥配置,并允许将MASTERGAN1用于新拓扑。在设计AC-DC变换系统时,工程师可以将其用于LLC谐振变换器。新器件还将适用于其它常见的高能效和高端拓扑,例如,有源钳位反激或正激变换器,还解决了更高额定功率和图腾柱PFC的设计问题。 新器件具有高度象征意义,因为它让GaN晶体管在大众化的产品中普及变得更容易。电信设备或数据中心的电源是最早使用这些功率器件的工业应用。现在有了MASTERGAN1,工程师可以设计能效更高的手机超级快充
发表于 2020-10-15
ST:<font color='red'>GaN</font>晶体管在未来大有作为
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved