长鑫为减少使用美国原产技术,重新设计DRAM芯片

2019-06-14来源: eefocus关键字:长鑫  DRAM  原产技术

合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。

 

据日经新闻亚洲评论报导,该消息人士表示,长鑫还无法完全消除威胁,其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),但重新设计能够降低威胁,避免触及美国的知识产权。

 

长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲,与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作,并访问了比利时的IMEC,这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见,长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

 

据了解,长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂,预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出,长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆,虽然需要经历某种学习曲线,但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。

 

不过,根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划,该公司计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

 

市调机构CINNO分析师Sean Yang指出,跟全球130万片DRAM 硅晶圆的月产量相比,长鑫的产能仍然较小,但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说,却是一大突破。

 

根据此前的报道,朱一明在上海举办的GSA MEMORY+峰会发表演讲时指出,长鑫的技术源自奇梦达,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件(约2.8TB数据)收归囊中,目前共有1万6千个专利申请。

 

奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂,但在2009年1月,奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心(位于西安高新区)是较大的两大研发中心。


关键字:长鑫  DRAM  原产技术

编辑:什么鱼 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qrs/ic464640.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:凯盛科技投资8762万元筹建超大屏触控模组项目
下一篇:华为要求美最大运营商Verizon支付专利费10亿美元

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

已到10nm级别,长鑫存储谈未来DRAM技术之路

在深圳举办的中国闪存技术峰会上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲。平尔萱博士表示,随着数据量的增加,数据处理能力就需要相应的加强,因此需要更强大的CPU,同时存储器的数据容量、读写速度也需要加强。因此近年来对DRAM的要求也在持续提高。今年5月15日,长鑫存储董事长兼CEO朱一明曾表示,从技术来源角度,合肥长鑫与奇梦达合作,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件(约2.8TB数据)收归囊中。在此次会议上,平尔萱博士对奇梦达DRAM也有提及。他表示,在DRAM技术的演进过程中,曾经的DRAM巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念给整个
发表于 2019-09-20

长鑫存储朱一明加入全球半导体的联盟董事会

全球半导体联盟宣布,任命长鑫存储技术有限公司董事长兼首席执行官朱一明为联盟董事会成员。据悉,全球半导体联盟在全球拥有来自超过25个国家和地区的250多家企业会员,代表着产值4500亿美元的半导体产业中70%的力量,涵盖了从初创公司到行业巨头的公共和私营企业,其中100家为上市公司。联盟领导层由半导体及相关高科技行业的技术和商业领袖组成,其董事会成员包括来自英特尔、三星、超微半导体(AMD)、安谋科技(Arm)、高通、应用材料等全球半导体巨头的高级负责人。此前,中芯国际联席首席执行官赵海军是董事会内唯一代表中国大陆半导体企业的成员。全球半导体联盟董事会主席、超微半导体首席执行官苏姿丰博士表示:“董事会领导层的此次拓展有助于联盟为会员
发表于 2019-09-19

传合肥长鑫年底将量产DDR4内存:19nm工艺、8Gb核心

前不久紫光宣布在重庆投资数百亿建设DRAM内存研发中心及晶圆厂,最快2021年量产,这对国产芯片,尤其是内存来说是一个大事件。不过在紫光之前,我们可能看到的第一个国产内存应该是合肥长鑫公司的,他们比紫光做内存更早,该公司2016年成立于安徽合肥,一期工程投资就高达72亿美元(约合494亿人民币),将建设一座月产能12.5万晶圆的内存厂,目前工厂建设已经进入了尾声,正在进行设备安装、调试阶段。最新消息显示,合肥长鑫的进展还跟顺利,已经提前进行机台安装,有望在Q4季度顺利量产国内第一批内存。根据合肥长鑫之前公开的资料,去年该公司与兆易创新达成了合作协议,共同开发19nm工艺的DRAM内存,去年底已经推出了8Gb DDR4内存样品,今年
发表于 2019-09-12

合肥长鑫传DRAM年底将量产

存储器厂华邦电14日举行股东常会,针对合肥长鑫存储传言已自行设计出DRAM产品,预计年底量产,董事长焦佑钧表示,不认为有威胁,因华邦专注耕耘利基型小小市场,但大陆公司的野心是国家级战略,彼此间应不会有太多竞争。       另外,市场认为英飞凌宣布收购赛普拉斯将有助华邦扩增编码型快闪存储器(NOR Flash)市占率,焦佑钧透露,对英飞凌是否减少对外采购量无感,认为竞争是常态,不能说某一个人加入或退出,就改变公司营运策略,要以平常心面对。      焦佑钧补充,英飞凌收购赛普拉斯主要是扩充微控制器(MCU)市占率,其他战略布局不清楚,「但要我帮他想的话」,未来
发表于 2019-06-17

日经:长鑫重新设计DRAM芯片,尽量避免用美国原产技术

日经新闻引述未具名消息人士报导,合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。      据日经新闻亚洲评论报导,该消息人士表示,长鑫还无法完全消除威胁,其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),但重新设计能够降低威胁,避免触及美国的知识产权。      长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲,与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作,并访问了比利时的IMEC,这是一家专注于纳米电子和数字技术
发表于 2019-06-14

第26章 FMC—扩展外部SDRAM—零死角玩转STM32-F429系列

本章参考资料:《STM32F4xx 中文参考手册2》、《STM32F4xx规格书》、库帮助文档《stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm》。关于SDRAM存储器,请参考前面的"常用存储器介绍"章节,实验中SDRAM芯片的具体参数,请参考其规格书《IS42-45S16400J》来了解。26.1 SDRAM控制原理STM32控制器芯片内部有一定大小的SRAM及FLASH作为内存和程序存储空间,但当程序较大,内存和程序空间不足时,就需要在STM32芯片的外部扩展存储器了。STM32F429系列芯片扩展内存时可以选择SRAM和SDRAM,由于SDRAM的"容量/价格"比较
发表于 2019-09-20
第26章 FMC—扩展外部SDRAM—零死角玩转STM32-F429系列

小广播

何立民专栏

单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2019 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved