DRAM市场规模下滑30%,2020年恐难触底反弹

2019-09-16来源: ICinsights关键字:DRAM  NAND
美中贸易战压抑半导体需求,摩根大通最新预测指出,今年DRAM市场规模将大幅下滑30%,产品均价(ASP)更会见到下跌40%的剧烈减幅,但资本支出可望保持一定动能,台厂如南亚科等建议观望为先。


摩根大通日前基于市场需求略为回升,上调DRAM指标的南亚科评级至「中立」,但对市场前景审慎的看法不变,尤其保守看伺服器为主的大型建设需求尚未全面反弹,2020年DRAM要触底弹升的动能恐怕相当有限。


摩根大通指出,由于美中贸易战和客户谨慎拉货影响,今年中,DRAM价格一度反弹又回落,全年难脱衰退颓势。以年度比较看,其预测DRAM需求将比去年成长12%,市场规模受供过于求、将下滑30%,产品均价也会比去年骤减四成。


NAND需求相对好,摩根大通预测,今年该类记忆体需求将强劲成长30%,惟供过于求仍预估使产品均价下滑二到四成。资本支出方面,则受到厂商投入新型需求,DRAM和NAND均预期比去年小幅下滑,分别来到190亿美元和250亿美元的水准。


摩根大通认为,明年第1季记忆体还有跌价可能,库存过多不太可能让景气「V」型反转,甚至到明年底延续「L」型复苏的低迷状态,因此建议对台厂观望。


记忆体产能过剩拖累全年资本支出成长


据IC insights 报告指出,2019 年半导体产业中,记忆体产业链之资本支出费用约占整体半导体产业达43%,而由于记忆体近年产能爆量等因素,造成记忆体市场近1 年出现供过于求的跌价现象,各厂减少扩产,导致今年记忆体资本支出因此下滑,拖累整体半导体产业资本支出下修为978 亿美元,相较于去年减少80 亿美元。


拉开历史数据来看,从下图可知,过去2 年记忆体产业资本支出是大幅增加,且自2013 起至2018 为止记忆体产业资本支出占比已从24% 跳升至49%,2019 则略为下降至43%,整体7 年的年均复合增长率(CAGR) 则达18.9%。


半导体资本支出于半导体产业占比与各年变动(图: IC insights)


IC 产品中,以快取记忆体(NAND) 的资本支出为2017 与2018 年整体半导体产业资本支出达高峰的主要产品,如记忆体大厂三星、SK 海力士、美光即在过去2 年间开出不小产能。


而过去18 个月中英特尔(INTC-US)、东芝、威腾、SanDisk、XMC 与长江存储,也都明显加速扩增3D NAND 的产量,持续产能扩增下,也使得DRAM 与快取记忆体都出现供过于求的状况,终而造成持续性的价格下跌。


资本支出变动方面,过去两年全球各大记忆体厂的扩厂计划,由于目前皆已完成或接近完成,再加上产能扩增下使市场价格不断掉价,两大因素下使各厂已逐渐缩减资本支出费用,截至目前为止DRAM 与Flash 资本支出已分别下跌19% 与21%。


DRAM 与Flash 资本支出各年变动(图: IC insights)


展望记忆体后市IC insights 指出,跌价的持续与否,将取决于各厂对于资本支出的调整,其中大厂之一的SK 海力士已于上月宣布将减产,而若未来各厂持续出现减产的态度,未来将能平缓记忆体跌价的趋势。


IC insights 表示,从短期供需面来看,供给过剩造成的低价,已使消费者具价格优势,需求量的增加,或多少能弥补厂商的跌价损失。


关键字:DRAM  NAND 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qrs/ic474529.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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