长江存储发展迅速,日韩垄断格局面临打破?

2019-09-16来源: eefocus关键字:长江存储  晶圆  3D  NAND  闪存

紫光集团旗下长江存储宣布,公司已开始量产基于Xtacking 架构的64层256 Gb TLC 三维闪存(3D NAND)。这也是中国首款64层3D NAND闪存,意味着国内在存储芯片有了新的突破,将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内,被视为中国打破美日韩垄断关键一战。

 

长江存储64层三维闪存是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品,拥有同代产品中最高存储密度。创新的Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根垂直互联通道(VIA)将两片晶圆键合,相比传统三维闪存架构可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。

 

长江存储相关负责人向《大公报》表示,长江存储64层三维闪存产品的量产,将使中国与世界一线三维闪存企业的技术差距缩短到两年以内。


紫光集团联席总裁刁石京表示,长江存储进入到这个领域之前,国内一直没有大规模存储芯片的生产,未来,随着云计算、大数据的发展,人类对数据存储要求是越来越高,三维闪存存储芯片是高端芯片一个重要领域,它的量产也标志着中国离国际先进水平又大大跨近一步,把中国产品水平跟海外的先进水平缩短到了一代。

 

存储芯片竞争激烈,三星、SK海力士、东芝、西部数据、美光、英特尔等巨头在产能上持续投入。业界有关人士分析,长江储存发展迅速,但目前表态保守,其虽然未公布量产规模,预计2020年底其可望将产能提升至月产6万片晶圆的水平。


据报道,长江存储64层三维闪存产品的量产有望使中国存储芯片自产率从8%提升至40%。在美日韩大厂垄断下,长江存储的64层3D NAND闪存量产消息别具意义。


业界预测,长江存储最快明年跳过96层直接进入128层三维闪存,实现弯道超车。据悉,长江存储已推出Xtacking2.0规划,借以提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开启定制化NAND全新商业模式等,相关产品将被广泛应用于数据中心,企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。


关键字:长江存储  晶圆  3D  NAND  闪存 编辑:什么鱼 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qrs/ic474658.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:三星显示晶圆比不过台积电,这次也要凉了?
下一篇:人工智能可预测自然灾害?厄尔尼诺事件已能被准确预测

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

长江存储128层QLC 3D闪存研制成功
2020年已经有越来越多的品牌开始推国产主控+国产闪存的SSD硬盘了,这背后主要得益于长江存储去年9月量产的64层3D闪存。最新消息称,长江存储除了对外供应闪存之外,Q3季度还会推出自有品牌的SSD硬盘。 在全球闪存市场上,三星、东芝、美光、西数、Intel、SK海力士等6大原厂闪存公司都是一方面对外供应闪存芯片,同时也有自己品牌的SSD业务,长江存储也推出自有品牌的SSD倒是不让人意外,技术上完全没难度。 长江存储没有公布过自己研发主控的信息,但是他们与群联、慧荣及联芸科技等SSD主控公司都有深入合作,直接采购第三方SSD主控的可能性比较大。 至于闪存,应该也是长江存储自己的64层闪存,3D TLC
发表于 2020-06-05
长江存储128层QLC 3D<font color='red'>闪存</font>研制成功
长江存储64层消费级固态硬盘或三季度上市
科创板日报从供应链获悉,长江存储64层固态硬盘预计将于今年三季度上市。早在2019年9月,长江存储就正式宣布,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求,此为中国首款64层3D NAND闪存。而在今年1月16日长江存储召开的市场合作伙伴年会上,长江存储表示其64层闪存的存储密度是全球第一的,和友商96层闪存相比差距也在10%之内。此外,透露其自有品牌64层消费级解决方案产品将在今年下半年陆续上市。据公开资料显示,2017至2019年间,长江存储陆续推出了32层、64层3D NAND闪存芯片及存储器解决方案。值得一提的是,长江存储于2020年
发表于 2020-06-04
长江存储改进3D NAND存储的工艺,助力128层QLC
前不久国内长江存储宣布128层QLC 3D NAND研发成功,且已经在群联和联芸两家控制器厂的SSD上通过验证,可应用于消费级SSD,并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域,以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。3D NAND存储器在近些年来迅速发展,由于其具有较高的写入速度和擦除速度,从而适合于存储数据。3D NAND结构中包括多个层叠设置的氧化层和氮化层的堆叠结构,随着对3D NAND存储器的容量要求增加,为在单位芯片面积上获得更大的存储容量,要求堆叠结构的层叠数目越来越大。然而三维存储器的制作过程中随着堆叠增加,保证每个制作过程的结构稳定的难度越来越大,严重制约了3D NAND闪存技术的发展在这一背景下,我国长江存储
发表于 2020-04-23
<font color='red'>长江</font><font color='red'>存储</font>改进3D NAND<font color='red'>存储</font>的工艺,助力128层QLC
集邦:长江存储年底量产128层产品,明年NAND闪存市场竞争加速
长江存储(YMTC)日前宣布,最新128层QLC 3D NAND闪存研发成功,同时该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证。根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,该公司目标是第三季进入投片、年底前量产,拟用于UFS、SSD等各类终端产品,并同时出货给模组厂。集邦咨询今日发布最新报告指出,考量客户导入时程,预计长江存储新产品可能率先影响第四季Wafer市场合约价,并自2021年起对Client SSD、eMMC/UFS等市场供给产生实质贡献,在供给增加的情况下,价格下跌的可能性也将提高。集邦咨询表示,受到疫情影响,智能手机及笔记本电脑等终端需求将受到不小冲击,并对NAND Flash主流
发表于 2020-04-21
长江存储128层QLC闪存研发成功!单颗容量1.33Tb,读写性能1.6Gb
长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度,以及最高单颗NAND闪存芯片容量。与此同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。(长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND)长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:“作为闪存行业的新人,长江存储仅用短短3年的时间,就实现
发表于 2020-04-15
<font color='red'>长江</font><font color='red'>存储</font>128层QLC闪存研发成功!单颗容量1.33Tb,读写性能1.6Gb
长江存储128层QLC 3D NAND闪存芯片研制成功
长江存储在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。  长江存储表示,X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片X2-9060,以满足不同应用场景的需求。 据了解,每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6
发表于 2020-04-13
<font color='red'>长江</font><font color='red'>存储</font>128层QLC 3D NAND闪存芯片研制成功
小广播
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2020 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved