英飞凌StrongIRFET™ MOSFET又添新品,从容应对设计挑战

2020-05-14来源: EEWORLD关键字:英飞凌

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步壮大StrongIRFET™ 40-60 V MOSFET产品阵容,推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力,可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用,包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。

 

全新D²PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET™封装阵容更加壮大。这能带来更多选项,有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外,全新封装的可互换引脚排列选项可带来出色的设计灵活性。相比标准的D²PAK 7pin封装而言,该全新系列器件的RDS(on)较之上一代器件减小13%,载流能力提高50%。譬如,标杆产品 IRL40SC240是一款RDS(on)为0.65 mΩ、载流能力为360 A的40 V器件。

 

该封装经过优化,可容纳面积增加多达20%的裸片,同时具有与标准D²PAK 7pin相同的占板面积和引脚排列方式。因此,可以很容易取代传统的D²PAK 7pin和H²PAK封装。此外,该产品系列可提供标准电平和逻辑电平栅极驱动,从而为设计人员带来灵活的驱动方案。

 


关键字:英飞凌 编辑:muyan 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/qrs/ic497043.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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