从SK海力士收购Intel NAND看存储圈里的变迁

2020-10-20来源: EEWORLD关键字:NAND  SK海力士  Intel

存储芯片占据半导体产业总产值的1/5、晶圆产能和资本支出的近1/3,且周期性强于半导体产业整体均值,从而成为半导体产业景气度的“风向标”。而关于存储行业的并购也在不断的浮出水面,近日,SK 海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务引发了不小的波动。近几年这些存储巨头市场活动的背后,也代表着存储芯片技术之间的角逐。

 

 

DRAM 、NAND格局:几家独大,格局已定

 

DRAM 与NAND 是存储领域的代表产品,据电子行业投资专题研究,它们合计共占据存储芯片产业产值的85%以上。DRAM行业得益于过去频繁发生的破产、并购与整合,目前寡头垄断的格局已然形成,行业供给相对可控。而NAND 行业整合的频率相对较少,市场相对分散,厂商难以形成有效自律,整个行业扩产幅度较大。但这也表明了NAND闪存市场的寡头垄断格局。全球NAND Flash 市场是一个高度集中的领域,前六大厂商几乎占据了全球100%的市场份额。从品牌竞争格局来看,三星占据了全球约35%的市场份额,成为全球NAND 市场的老大哥,紧随其后的是新军KIOXIA,占据了28%,SK海力士已17% 的份额排名第三,其次是美光和Intel。

 

 

SK海力士收购Intel NAND业务后,市场份额大约为23%。

 

NAND Flash技术演进

 

从技术角度来讲,各大巨头为了获取高容量应用市场,未来NAND Flash的竞争重点,将转向降低每bit成本发展。对新进者而言,专利、资金、multi-bit/cell NAND Flash制程良率,将是主要的进入障碍。

 

在成本竞争上,NAND Flash厂商也正致力于朝着相同制程技术下,设计更小晶粒尺寸努力,以超越同业的gross die产出量,此一发展对高容量micro型记忆卡的发展也有很大的影响,而且选用的封装技术也会影响产品成本的优劣势。

 

 

在NAND Flash市场上,三星、SK海力士均已宣布新一代128层3D TLC NAND已开始量产或送样,2020年西部数据、铠侠、美光等128层3D NAND也将面世,英特尔甚至将在2020年推出144层QLC NAND,同业者之间的竞争如火如荼。

 

此外,随着中国芯片国产化进程的加速,加上新晋者的加入,战局再度升温,对于SK海力士而言,一定程度上将刺激在NAND Flash和DRAM战略布局上加快步伐。

 

全力向3D NAND技术冲刺

 

随着存储技术的演进,人们对于3D NAND的高密度化的期待越来越高。如今,各家厂家都在努力推进128层(铠侠和WD是112层)的量产工作。未来,层数应该还是更高,据Roadmap 显示,2021年-2022年研发200层,2022年-2023年研发250层以及以上。

 

 

 

三星(Samsung Electronics)正在推进24层、32层、48层、64层、92层以及3D的多层化发展。初步来看,三星已经控制了48层和64层的市场。

 

从现在的技术发展来看,三星掌控了48层和64层、铠侠和WD掌控了96层,可见真正在高密度方面获得突破性发展的NAND厂家才能掌握新时代的霸权。

 

 

NAND Flash产业整合

 

 

三星电子——存储界的标杆

 

可以看出,在三星在存储界几乎遥遥领先,一家独大。加上他们接二连三的进行投资,势必要在存储产业以外寻找新的增长点。三星公布新的开支计划表示:到2021年,三星将在韩国境内耗资至少20.4万亿韩元(合186.3亿美元)来进一步巩固公司在存储器行业和下代智能手机面板行业中的领导者地位。三星还在中国西安的(NAND Flash)存储器制造工厂,分三年共投资70亿美元。从而扩产存储器

 

在未来新兴产业方面,三星将向人工智能、5G、生物技术、汽车半导体这4大新兴产业投资25万亿韩元(约合人民币1389亿元),以打造未来的增长引擎。其中,在人工智能领域,三星计划将全球人工智能研究人员增至1000名。在5G领域,三星希望成为全球5G芯片组和相关设备的积极参与者。

 

东芝和WD的联盟

 

在2017年,东芝已与西部数据达成协议,以 174 亿美元将半导体业务出售给西部数据(Western Digital Corporation)领导的联盟。该联盟除了西部数据之外,还包括私募基金公司 KKR、日本创新网络公司(Innovation Network Corp)以及日本政策投资银行(DBJ)与日本其他公司。不过,报导指出,西部数据出资 1500 亿日元认购不超过三分之一股权,对公司经营决策没有投票权。但在2019年东芝存储器正式更名为“Kioxia”,中文名“铠侠”。

 

SK海力士

 

海力士半导体在bai1983年以现代电子产业du有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂,并正式更名为 SK hynix Inc. 近日,SK海力士和Intel扔出了一个重磅炸弹,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。通过本次收购,SK海力士在急速成长的NAND闪存领域中提升了包括企业级SSD在内的存储解决方案相关竞争力,进一步跃升为行业领先的全球半导体企业之一。

 

IM(Intel-Micron)Flash 

 

2006年,Intel和美光各出约12亿美元成立了合资企业Intel-Micron Flash Technology (IM Flash) ,此次联合的目的是共同合作研发NAND Flash和一种非易失性内存技术3D XPoint。并使用在了英特尔Optane产品中。

 

 

但好景不长,两家巨头的情谊走到了尽头。2012年,Intel已将多数股份卖给了美光,包括新加坡和弗吉尼亚的工厂,只保留Lehi一处据点。最后Intel和美光宣布在完成第二代3D Xpoint芯片研发工作后“分道扬镳”,结束技术研发合作关系。

 

2018年,美光斥资15亿美元收购了英特尔持有的IM Flash Technologies股份。IM Flash也将在交易完成后成为美光科技的全资子公司

 

 

中国存储产业爆发

 

2017-2018年,中国存储产业开始上演第二梯队大逆袭,代表企业武汉长江存储的研发节奏正在逐步推进。2017年长江存成功研制出中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这颗芯片,耗资10亿美元,由1000人团队历时2年自主研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片,实现了中国存储芯片“零”的突破。其中,Xtacking™架构是他们的看家本领,有了创新的Xtacking™架构,周边的控制电路基本上可以随意选择任何逻辑电路的先进工艺,从而周边电路的速度可以没有特别大的限制往上提高。


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