英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货

最新更新时间:2022-11-22来源: EEWORLD关键字:英飞凌  F-RAM  存储器 手机看文章 扫描二维码
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英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货


【2022年11月22日,德国慕尼黑讯】近日,英飞凌科技股份公司宣布该公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM存储器(铁电存取存储器)开始批量供货。该系列储存器是业界功率密度最高的串行F-RAM存储器,能够满足新一代汽车和工业系统对非易失性数据记录的需求,防止在恶劣的工作环境中丢失数据。新存储器的工作电压范围为1.71 V至3.6 V,借助低引脚数接口,该器件可支持高达54MBps的数据吞吐量,并且采用了符合RoHS标准的24-ball FBGA封装。


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英飞凌科技汽车电子事业部RAM产品线负责人Ramesh Chettuvetty表示:“随着自动化程度的提高和物联网传感器市场的快速增长,市场对存储器提出了更高要求,希望存储器拥有更高的密度,在断电情况下也能准确、即时地进行数据采集,以满足数据记录要求。英飞凌全新的EXCELON F-RAM产品能够在保持超低功耗的同时,高效、准确地进行关键的数据采集工作。因此,该产品是工厂自动化解决方案和汽车EDR(事件数据记录系统)的理想选择。”


英飞凌的EXCELON F-RAM是新一代铁电存取存储器。新产品具有超低功耗模式与高速接口,以及即时非易失性和无限次数的读/写周期,并以此成为业界功耗极低的任务关键型非易失性存储器。串行存储器的读写性能与采用并行接口、电池供电的静态存储器旗鼓相当,存取时间为35纳秒。凭借快速的写入速度、出众的耐用性和行业领先的能效水平,EXCELON F-RAM成为汽车、工业和医疗应用等领域的首选数据记录存储器。


关于英飞凌F-RAM存储器


英飞凌提供一系列种类丰富的串行与并行F-RAM产品组合,存储密度从4 Kbit至16 Mbit不等、工作电压范围从1.8 V到5.5 V。该产品系列具有100万亿次读写周期,是数据写入密集型应用的理想解决方案。英飞凌F-RAM存储器适用于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存储器解决方案的应用,如汽车、工业、计算、网络、智能仪表、多功能打印机等。


供货情况


采用24-ball FBGA封装、最高工作温度为105°C的全新工业级8 Mbit 和16 Mbit EXCELON F-RAM存储器现已开始供货。采用24-ball FBGA封装、获得AEC-Q100三级认证的车规级16 Mbit器件也已开放订购。


关键字:英飞凌  F-RAM  存储器 编辑:张工 引用地址:英飞凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON™ F-RAM非易失性存储器已开始批量供货

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