北航与微电子所成功制备国内首个80nm磁随机存储器芯片器件

2017-05-08来源: 互联网关键字:80nm  存储器

  近日,北京航空航天大学与微电子所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。

  微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3年的艰苦攻关,在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS工艺成功制备出直径80nm磁隧道结,器件性能良好,其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%,可实现纯电流翻转且电流密度达到国际领先水平。

  在北京市科委的大力支持下,该工作完全采用了可兼容传统CMOS集成电路的工艺方法和流程,具备向产品化、产业化转移的条件,对我国存储器产业的技术突破形成了具有实际意义的推动作用。

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关键字:80nm  存储器 编辑:李强 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/wltx/article_2017050814927.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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