7nm节点胜负已经分?

2019-01-05来源: 爱集微关键字:三星  台积电

集微网消息,全球最大芯片代工企业台积电务实地在7nm工艺第一代放弃EUV(极紫外光刻),同时上马整合扇出封装技术提升可靠度,最终使得自己的进度超越三星,拿下了一系列客户的大单。

2018年10月,三星电子宣布其7nm LPP(Low Power Plus)制程也已进入量产阶段,而采用EUV 设备的台积电第二代7 纳米依预期会在2019年量产。

对于三星,SwmiWiki的创始人Daniel Nenni认为,与台积电不同的是,三星的产能一直都不成问题。而作为领跑的两家代工厂,三星在14纳米领先于台积电,在10nm和7nm节点被台积电反超,但是三星拥有业内最好的晶圆价格,在定价方面三星更有优势。

从工艺本身来看,在7nm节点,究竟三星和台积电谁更胜一筹呢?IC Knowledge的创始人Scotten Jones提出了以下的一些想法:

·接触栅极间距(CPP)——台积电和三星都自称7纳米的CPP为54纳米,但它们两者,的实际栅极节距CPP为57纳米。

·金属层2的厚度(metal 2 pitch (M2P))——三星是36nm,台积电是40nm。

·轨道高度——三星最小单元轨道高度为6.75,台积电为6.0。

·扩散——台积电光学过程(7FF)是双扩散(Double Diffusion Break ,DDB),据报道它们的EUV过程(7FFP)将采用单扩散(Single Diffusion Break ,SDB)。三星7NM第一代工艺(7LPE)和第二代工艺(7LPP)都是双扩散。

·晶体管密度——台积电7FF的最小单元逻辑密度略好于三星7LPE和7LPP。台积电的EUV 7FFP略好于三星的“第三代”7nm。

·SRAM单元大小——据称所有的三星7nm工艺和台积电7nm工艺的SRAM单元大小相同,但三星的SRAM单元实际稍小一些。

Scotten指出,总体而言,三星和台积电的7nm工艺在晶体管密度上是相似的,但是在7nm工艺的量产方面,台积电处于领先地位。


关键字:三星  台积电

编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/2019/ic-news010592609.html
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