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长鑫朱一明:研发投入超25亿美元

2019-05-16来源: 爱集微关键字:长鑫

长鑫存储董事长兼CEO朱一明先生在上海举办的GSA MEMORY+峰会上,发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲。

据朱一明透露,从技术来源角度,合肥长鑫与奇梦达合作,并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作,将一千多万份有关DRAM的技术文件(约2.8TB数据)收归囊中。


        同时,在设备等方面,长鑫与其他龙头公司有紧密的合作,例如与ASML合作做论文,贡献了基础性项目。长鑫前期利用合作伙伴ASML的研发线,展开世界速度的快速迭代研发。

        据朱一明介绍,长鑫14个月即完成晶圆厂建设,一共花费25亿美金用在研发和资本支出。

        朱一明也强调合肥长鑫具有合规完善的技术来源,同时重视知识产权,长鑫共有1万6千个专利申请。

        据悉,奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂,但在2009年1月,奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心(位于西安高新区)是较大的两大研发中心。

        在复杂的国际形势下,去年10月,朱一明欧洲之行,便透露出长鑫缩小与全球芯片领导者技术差距的决心,并确保在与美国持续不断的贸易争端中先进制造设备的供应。

        2018年,长鑫方面也透露项目的5年规划,2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。


关键字:长鑫

编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic462031.html
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