pSemi宣布推出UltraCMOS13工艺,实现更高射频性能

2019-06-11来源: EEWORLD关键字:pSemi  UltraCMOS

在2019年国际微波研讨会期间,pSemi宣布推出UltraCMOS13,这是其在GlobalFoundries的300毫米晶圆厂上开发的下一代专有RFSOI工艺。 UltraCMOS 13专为改善低噪声放大器(LNA)和功率放大器(PA)性能而量身定制,可提高集成前端组件的性能。

三十多年前,pSemi开创了UltraCMOS技术,取代GaAs PHEMT成为手机开关的首选工艺。每一代UltraCMOS都改进了Ron*Coff品质因数,这是RF开关的关键性能指标。降低Ron可降低插入损耗,降低Coff可在开关关闭时改善开关隔离性能。2017年1月推出的UltraCMOS 12的RonCoff达到了80 fs。

UltraCMOS 13保持了上一代的RonCoff和Fmax性能,同时降低了LNA的NFmin,降低了PA的FET漏电流,增加了开关的功率处理能力,并优化了对片内1.2 V模拟和数字电路功能的支持。

pSemi首席执行官Jim Cable表示,UltraCMOS 13工艺将使pSemi设计人员能够提供高度集成和差异化的产品,最初的目标是低于6 GHz的5G NR LNA,PA,交换机和集成前端等。

pSemi(前身为Peregrine Semiconductor)是村田制作所的子公司,开发标准产品RFIC和定制设计。

关键字:pSemi  UltraCMOS

编辑:冀凯 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic464078.html
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