三星率先开发出了12层3D-TSV芯片封装技术

2019-10-09来源: 爱集微关键字:三星

三星电子在10月7日宣布,已率先在业内开发出12层3D-TSV(硅穿孔)技术。该技术在保持芯片尺寸的同时增加了内存容量。

据介绍,该技术垂直堆叠了12个DRAM芯片,它们通过60000个TSV孔互连,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。三星表示,这是目前最精确和最具挑战性的半导体封装技术。

三星补充道:“利用这项新技术,可以堆叠12个DRAM芯片,同时保持与现有8层HBM2产品相同的封装厚度,即720μm。这对客户来说意味着即使系统设计没有任何变化,也可以生成高容量和高性能的产品。”

三星还透露,基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从目前的8GB来到24GB。

“最新的封装技术在AI、自动驾驶和HPC(高性能计算)等领域变得越来越重要,”三星电子DS部门副总裁Baek Hong-joo说道。“我们将通过12层3D-TSV技术在半导体封装领域保持领先地位。”


关键字:三星 编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic476493.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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