我国学者制备出高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料

2020-05-23来源: 爱集微关键字:半导体

北大信息科学技术学院消息,近日,北京大学信息科学技术学院电子学系/北京大学碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授-彭练矛教授课题组发展全新的提纯和自组装方法,制备高密度高纯半导体阵列碳纳米管材料,并在此基础上首次实现了性能超越同等栅长硅基CMOS技术的晶体管和电路,展现出碳管电子学的优势。

图片来源:北大信息科学技术学院消息

该课题组采用多次聚合物分散和提纯技术得到超高纯度碳管溶液,并结合维度限制自排列法,在4英寸基底上制备出密度为120 /μm、半导体纯度高达99.99995%、直径分布在1.45±0.23 nm的碳管阵列,从而达到超大规模碳管集成电路的需求。

据悉,该项工作突破了长期以来阻碍碳管电子学发展的瓶颈,首次在实验上显示出碳管器件和集成电路较传统技术的性能优势,为推进碳基集成电路的实用化发展奠定了基础。

5月22日,相关研究成果于《科学》发表。同时,上述研究也得到国家重点研发计划“纳米科技”重点专项、北京市科技计划、国家自然科学基金等资助。


关键字:半导体 编辑:北极风 引用地址:http://news.eeworld.com.cn/xfdz/ic498003.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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